[发明专利]静电卡盘装置

说明书

本发明的静电卡盘装置(80)依次具备以一个主面作为载置板状试样的载置面并且内置有静电吸附用内部电极的静电卡盘部(2)、第一胶粘层(4)、片材(6)、第二胶粘层(8)和将静电卡盘部(2)调节至期望的温度的温度调节用基部(10)，第一胶粘层(4)包含层厚为1nm～500nm的接合层(14)和厚度为2μm～30μm的有机硅胶粘剂层(24)，第二胶粘层(8)包含层厚为1nm～500nm的接合层(18)和厚度为2μm～30μm的有机硅胶粘剂层(28)。

技术领域

本发明涉及静电卡盘装置。

背景技术

在半导体制造工艺中，晶片的加工时，作为在试样台上简单地安装、固定晶片并且将该晶片维持于期望温度的装置，使用静电卡盘装置。

随着半导体元件的高集成化和高性能化，晶片的加工的微细化正在发展，经常使用生产效率高、能够进行大面积的微细加工的等离子体蚀刻技术。对固定在静电卡盘装置上的晶片照射等离子体时，该晶片的表面温度升高。因此，为了抑制该表面温度的升高，使水等冷却介质在静电卡盘装置的温度调节用基部循环而从下侧将晶片冷却，但此时，由于等离子体对晶片带来的入热的晶片面内的偏差，在晶片的面内产生温度分布。例如，存在如下倾向：在晶片的中心部，温度升高，在边缘部，温度降低。

例如，在使用氦气等气体的调节晶片的面内温度分布的静电卡盘装置、调节晶片与静电卡盘的吸附面之间的接触面积的静电卡盘装置中，难以进行局部的温度控制。

另外，以往的带加热器功能的静电卡盘装置中，由于加热器的快速的升降温，有时在静电卡盘部、温度调节用基部、加热器本身产生裂纹，存在作为静电卡盘装置的耐久性不充分的问题。

为了解决上述问题，公开了一种静电卡盘装置，其在例如应用于等离子体蚀刻装置等处理装置的情况下，能够通过在硅晶片等板状试样的面内产生局部的温度分布来进行伴随等离子体施加而产生的硅晶片等板状试样的局部的温度控制(例如，参考专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-159684号公报

发明内容

发明所要解决的问题

为了进一步抑制晶片的面内温度的偏差，要求进一步提高固定晶片的静电卡盘部的面内温度均匀性。

本发明的目的在于提供静电卡盘部与基部的胶粘性优良并且静电卡盘部的面内温度均匀性优良的静电卡盘装置，其课题在于实现该目的。

用于解决问题的方法

用于实现上述课题的具体手段如下所述。

1一种静电卡盘装置，其中，

依次具备以一个主面作为载置板状试样的载置面并且内置有静电吸附用内部电极的静电卡盘部、第一胶粘层、片材、第二胶粘层和将上述静电卡盘部调节至期望的温度的温度调节用基部，

上述第一胶粘层包含层厚为1nm～500nm的接合层和厚度为2μm～30μm的有机硅胶粘剂层，

上述第二胶粘层包含层厚为1nm～500nm的接合层和厚度为2μm～30μm的有机硅胶粘剂层。

2一种静电卡盘装置，其中，

依次具备以一个主面作为载置板状试样的载置面并且内置有静电吸附用内部电极的静电卡盘部、以相互具有间隙地胶粘在上述静电卡盘部的与上述载置面相反一侧的表面上的多个加热构件、第一胶粘层、片材、第二胶粘层和具有将上述静电卡盘部冷却的功能的基部，

上述第一胶粘层包含层厚为1nm～500nm的接合层和厚度为2μm～30μm的有机硅胶粘剂层，