[发明专利]静电卡盘装置有效
申请号: | 201580055847.2 | 申请日: | 2015-10-15 |
公开(公告)号: | CN106796914B | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 伊藤智海;三浦幸夫 | 申请(专利权)人: | 住友大阪水泥股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 盛曼;金龙河 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 卡盘 装置 | ||
1.一种静电卡盘装置,其中,
依次具备以一个主面作为载置板状试样的载置面并且内置有静电吸附用内部电极的静电卡盘部、第一胶粘层、片材、第二胶粘层和将所述静电卡盘部调节至期望的温度的温度调节用基部,
所述第一胶粘层包含层厚为1nm~500nm的接合层和厚度为2μm~30μm的有机硅胶粘剂层,
所述第二胶粘层包含层厚为1nm~500nm的接合层和厚度为2μm~30μm的有机硅胶粘剂层。
2.如权利要求1所述的静电卡盘装置,其中,所述接合层为具有来源于具有选自由环氧基、异氰酸酯基、氨基、巯基、乙烯基、苯乙烯基、甲基丙烯酸基、丙烯酸基、酰脲基、硫醚基和异氰脲酸酯基组成的组中的至少一种反应性官能团的化合物的结构的层。
3.如权利要求2所述的静电卡盘装置,其中,具有所述反应性官能团的化合物进一步具有水解性基团。
4.如权利要求3所述的静电卡盘装置,其中,具有所述反应性官能团的化合物由下述通式(1)表示,
通式(1)中,Y表示环氧基、异氰酸酯基、氨基、巯基、乙烯基、苯乙烯基、甲基丙烯酸基、丙烯酸基、酰脲基、硫醚基或异氰脲酸酯基,L1表示连结基,M表示硅原子、钛原子或锆原子,R表示碳原子数1~5的烷基,L2表示单键或羰基,n表示1~3的整数,R’表示碳原子数1~3的烷基或苯基。
5.如权利要求1~4中任一项所述的静电卡盘装置,其中,所述片材厚于所述第一胶粘层和所述第二胶粘层的合计层厚,所述片材的厚度为20μm~500μm。
6.如权利要求1~4中任一项所述的静电卡盘装置,其中,所述片材含有选自由有机硅系弹性体和氟系弹性体组成的组中的任意一种。
7.如权利要求1~4中任一项所述的静电卡盘装置,其中,所述载置面包含氧化铝-碳化硅(Al2O3-SiC)复合烧结体、氧化铝(Al2O3)烧结体、氮化铝(AlN)烧结体或氧化钇(Y2O3)烧结体。
8.一种静电卡盘装置,其中,
依次具备以一个主面作为载置板状试样的载置面并且内置有静电吸附用内部电极的静电卡盘部、以相互具有间隙地胶粘在所述静电卡盘部的与所述载置面相反一侧的表面上的多个加热构件、第一胶粘层、片材、第二胶粘层和具有将所述静电卡盘部冷却的功能的基部,
所述第一胶粘层包含层厚为1nm~500nm的接合层和厚度为2μm~30μm的有机硅胶粘剂层,
所述第二胶粘层包含层厚为1nm~500nm的接合层和厚度为2μm~30μm的有机硅胶粘剂层。
9.如权利要求8所述的静电卡盘装置,其中,具有埋设所述加热构件的间隙的高分子材料层,所述高分子材料层的层厚与从所述静电卡盘部的与所述载置面相反一侧的表面至所述加热构件的所述第一胶粘层侧的表面的最短距离相同。
10.如权利要求8所述的静电卡盘装置,其中,具有埋设所述加热构件的间隙并且覆盖所述加热构件表面的高分子材料层,所述高分子材料层表面是平坦的。
11.如权利要求8~10中任一项所述的静电卡盘装置,其中,在所述加热构件与所述基部之间具有绝缘材料层。
12.如权利要求8~10中任一项所述的静电卡盘装置,其中,所述接合层为具有来源于具有选自由环氧基、异氰酸酯基、氨基、巯基、乙烯基、苯乙烯基、甲基丙烯酸基、丙烯酸基、酰脲基、硫醚基和异氰脲酸酯基组成的组中的至少一种反应性官能团的化合物的结构的层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造