[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置及其制造方法，在半导体装置(1)中，以从与存储器栅构造体(4a)相同结构构成的接触器设置构造体(10a)的顶部跨至第一选择栅极(G2a)的方式设置了接触器(C5a)，因此，不存在如现有的升起到存储器栅构造体(110)顶部的升起部(102b)(图13)，相应地可缩短离上层的配线层的距离，能够降低长径比，从而能够防止接触器的阻抗增大。而且，由于不存在如现有的升起到存储器栅构造体(110)顶部的升起部(102b)，相应地还能够使接触器设置构造体(10a)和上层的配线层离远，因此能够防止与上层的配线层的接触不良。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：存储器栅构造体，依次层叠有下部栅绝缘膜、电荷存储层、上部栅绝缘膜及存储器栅极；接触器设置构造体，具有依次层叠有所述电荷存储层、所述上部栅绝缘膜及隔离存储器栅极的结构，并与所述存储器栅构造体电隔离，其中，所述隔离存储器栅极由与所述存储器栅极相同层构成；侧壁型选择栅极，在所述存储器栅构造体的侧壁夹着侧壁隔片以侧壁形状形成，同时在所述接触器设置构造体的侧壁夹着所述侧壁隔片以侧壁形状形成，所述侧壁型选择栅极从所述存储器栅构造体到所述接触器设置构造体连续设置；及接触器，以从所述接触器设置构造体的顶部跨至所述侧壁隔片和所述侧壁型选择栅极的方式立设。