[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

存储器栅构造体，依次层叠有下部栅绝缘膜、电荷存储层、上部栅绝缘膜及存储器栅极；

接触器设置构造体，具有依次层叠有所述电荷存储层、所述上部栅绝缘膜及隔离存储器栅极的结构，并与所述存储器栅构造体电隔离，其中，所述隔离存储器栅极由与所述存储器栅极相同层构成；

侧壁型选择栅极，在所述存储器栅构造体的侧壁夹着侧壁隔片以侧壁形状形成，同时在所述接触器设置构造体的侧壁夹着所述侧壁隔片以侧壁形状形成，所述侧壁型选择栅极从所述存储器栅构造体到所述接触器设置构造体连续设置；及

接触器，以从所述接触器设置构造体的顶部跨至所述侧壁隔片和所述侧壁型选择栅极的方式立设。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述存储器栅极的侧壁的所述侧壁隔片和与所述侧壁隔片相对配置的所述隔离存储器栅极的侧壁的所述侧壁隔片之间的区域，所述侧壁型选择栅极无间隙地形成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

当所述存储器栅极的侧壁与所述隔离存储器栅极的侧壁的相隔距离表示为Dp，从所述存储器栅极的侧壁的所述侧壁隔片开始的所述侧壁型选择栅极的厚度表示为Dsw，所述存储器栅极与所述侧壁型选择栅极之间的所述侧壁隔片的厚度表示为Dsp时，成立Dp＜(2×Dsp)+(2×Dsw)的关系。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述侧壁型选择栅极由第一选择栅极和第二选择栅极构成，所述第一选择栅极沿着所述存储器栅极的一侧壁的所述侧壁隔片以侧壁形状形成，所述第二选择栅极沿着所述存储器栅极的另一侧壁的所述侧壁隔片以侧壁形状形成，所述第一选择栅极与所述第二选择栅极电隔离。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述存储器栅构造体以直线状形成，

所述接触器设置构造体由第一接触器设置构造体和第二接触器设置构造体构成，所述第一接触器设置构造体配置在所述存储器栅构造体的长度方向的一端侧，所述第二接触器设置构造体配置在所述存储器栅构造体的长度方向的另一端侧，

所述接触器由第一接触器和第二接触器构成，所述第一接触器以从所述第一接触器设置构造体的顶部跨至所述侧壁隔片和所述第一选择栅极的方式立设，所述第二接触器以从所述第二接触器设置构造体的顶部跨至所述侧壁隔片和所述第二选择栅极的方式立设。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一接触器设置构造体和所述第二接触器设置构造体分别以带状形成，且配置在与所述存储器栅构造体的长度方向相同的直线上。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

接触器设置构造体形成工序，通过在基板上依次将下部栅绝缘膜、电荷存储层、上部栅绝缘膜及存储器栅极分别以层状层叠后对其实施图案化处理，由此形成依次层叠所述下部栅绝缘膜、所述电荷存储层、所述上部栅绝缘膜及所述存储器栅极的存储器栅构造体，同时形成依次层叠所述电荷存储层、所述上部栅绝缘膜、由与所述存储器栅极相同层构成的隔离存储器栅极且与所述存储器栅构造体电隔离的接触器设置构造体；

侧壁隔片形成工序，沿着所述存储器栅构造体和所述接触器设置构造体的各侧壁形成侧壁隔片；

选择栅极形成工序，以覆盖侧壁被所述侧壁隔片覆盖的所述存储器栅构造体和所述接触器设置构造体的方式形成导电层后，通过对所述导电层回蚀，由此形成在从所述存储器栅构造体到所述接触器设置构造体的各侧壁夹着所述侧壁隔片连续设置的侧壁形状的选择栅极；及

接触器形成工序，形成以从所述接触器设置构造体的顶部跨至所述选择栅极的方式立设的接触器。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述接触器设置构造体形成工序中，形成两个以上的所述接触器设置构造体，

在所述选择栅极形成工序中，作为所述选择栅极，形成侧壁形状的第一选择栅极和侧壁形状的第二选择栅极，其中，所述第一选择栅极和所述第二选择栅极在所述存储器栅构造体的所述侧壁夹着所述侧壁隔片以侧壁形状形成，同时在所述接触器设置构造体的所述侧壁夹着所述侧壁隔片以侧壁形状形成，所述第一选择栅极和所述第二选择栅极从所述存储器栅构造体到所述接触器设置构造体连续设置，所述第一选择栅极和所述第二选择栅极电隔离；

在所述接触器形成工序中，形成以从一所述接触器设置构造体的顶部跨至所述第一选择栅极的方式立设的一所述接触器，和以从另一所述接触器设置构造体的顶部跨至所述第二选择栅极的方式立设的另一所述接触器。