[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明涉及半导体装置及其制造方法，在半导体装置(1)中，以从与存储器栅构造体(4a)相同结构构成的接触器设置构造体(10a)的顶部跨至第一选择栅极(G2a)的方式设置了接触器(C5a)，因此，不存在如现有的升起到存储器栅构造体(110)顶部的升起部(102b)(图13)，相应地可缩短离上层的配线层的距离，能够降低长径比，从而能够防止接触器的阻抗增大。而且，由于不存在如现有的升起到存储器栅构造体(110)顶部的升起部(102b)，相应地还能够使接触器设置构造体(10a)和上层的配线层离远，因此能够防止与上层的配线层的接触不良。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。

背景技术

以往，半导体中将连接设置在基板上的栅极和配置在所述栅极的上层的配线层时，一般采用的结构是，设置柱状的接触器并使用所述接触器电连接栅极和配线层(例如，参照非专利文献1)。作为设置多个接触器的半导体装置，例如具有如下的结构：依次层叠下部栅绝缘膜、电荷存储层、上部栅绝缘膜及存储器栅极的存储器栅构造体和在所述存储器栅构造体的侧壁夹着侧壁隔片设置的选择栅构造体设置在活性区域上(基板表面上)，在各部位设置接触器。

例如，这种半导体装置中，从各种配线层通过接触器向存储器栅极、选择栅构造体的选择栅极等的各部位施加规定的电压，从而通过因基板表面与存储器栅极G100的电压差而产生的量子隧道效应，向电荷存储层EC注入电荷。

在这种情况下，在存储器栅构造体的侧壁夹着侧壁隔片设置的选择栅构造体与存储器栅极不同地，从接触器设置部向选择栅极施加规定的电压，由此可以对所述选择栅极以与存储器栅极独立的方式进行控制。

例如，如图13所示，这种半导体装置100中，在邻接于活性区域(未示出)的元件隔离层101上，可设置与选择栅极(未示出)一体形成的接触器设置部102。在这种情况下，半导体装置100中，存储器栅构造体的电荷存储层EC、上部栅绝缘膜23b及存储器栅极G100延设到元件隔离层101上，在所述电荷存储层EC、上部栅绝缘膜23b、存储器栅极G100的侧壁夹着侧壁隔片105可形成接触器设置部102。并且，所述存储器栅极G100和接触器设置部102等的各部位被层间绝缘层120覆盖，在层间绝缘层120的上层的其他层间绝缘层121上设置有上层的配线层112。

接触器设置部102中，在平坦的接触器设置面102c上立设有接触器C100，接触器设置部102通过所述接触器C100与上层的配线层112电连接。由此，接触器设置部102可以将从上层的配线层112被施加的电压施加到形成在活性区域的选择栅极。

这种半导体装置100中，除了接触器设置部102与上层的一配线层112通过接触器C100电连接之外，还可以具有例如在未示出的活性区域，形成在活性区域的杂质扩散区域(未示出)与上层的另一配线层113通过另一接触器C101电连接的结构。

并且，半导体装置100中，一般情况下，在设置有配线层112、113的层间绝缘层121的上层上同样另行形成有其他层间绝缘层123，在所述层间绝缘层123上可配置其他配线层114。在这种情况下，半导体装置100中，配线层113、114之间通过接触器C102电连接，例如施加于最上层配线层114的电压依次通过接触器C102、配线层113及接触器C101被施加到基板表面的杂质扩散层。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1：“制造半导体为止(半導体ができるまで)瑞莎电子”、“在线”、2014年1月8日检索、因特网(URL:http://japan.renesas.com/company_info/fab/line/line12.html)

发明内容

发明要解决的课题