[发明专利]包含铁电材料的凹陷晶体管有效
| 申请号： | 201580054326.5 | 申请日： | 2015-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN106796939B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | D·V·N·拉马斯瓦米 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/11502 | 分类号： | H01L27/11502;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一些实施例含括晶体管构造，其具有内衬在基底内的凹槽中的第一绝缘结构。第一导电结构内衬在所述第一绝缘结构的内部中，且铁电结构内衬在所述第一导电结构的内部中。第二导电结构位于所述铁电结构的下部区域内，且所述第二导电结构具有在所述第一导电结构的最上表面下方的最上表面。第二绝缘结构位于所述第二导电结构上方且位于所述铁电结构内。一对源极/漏极区域相邻于所述第一绝缘结构的上部区域且位于所述第一绝缘结构的彼此对置侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 材料 凹陷 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管构造，其包括：/n第一绝缘结构，其内衬在基底内的凹槽中；/n第一导电结构，其内衬在所述第一绝缘结构的内部中；/n铁电结构，其内衬在所述第一导电结构的内部中；/n第二导电结构，其位于所述铁电结构的下部区域内；所述第二导电结构具有在所述第一导电结构的最上表面下方的最上表面；/n第二绝缘结构，其位于所述第二导电结构上方且位于所述铁电结构内；及/n一对源极/漏极区域，其相邻于所述第一绝缘结构的上部区域且位于所述第一绝缘结构的彼此对置侧上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
