[发明专利]包含铁电材料的凹陷晶体管

权利要求书

1.一种晶体管构造，其包括：

第一绝缘结构，其内衬在基底内的凹槽中；

第一导电结构，其内衬在所述第一绝缘结构的内部中；

铁电结构，其内衬在所述第一导电结构的内部中；

第二导电结构，其位于所述铁电结构的下部区域内；所述第二导电结构具有在所述第一导电结构的最上表面下方的最上表面；

第二绝缘结构，其位于所述第二导电结构上方且位于所述铁电结构内；及

一对源极/漏极区域，其相邻于所述第一绝缘结构的上部区域且位于所述第一绝缘结构的彼此对置侧上。

2.根据权利要求1所述的晶体管构造，其中所述第一导电结构仅内衬在所述第一绝缘结构的一部分中，其中所述第一绝缘结构的上部分未内衬有所述第一导电结构。

3.根据权利要求2所述的晶体管构造，其中所述铁电结构内衬在整个所述第一导电结构中且内衬在所述第一绝缘结构的所述上部分中。

4.根据权利要求1所述的晶体管构造，其中所述第一导电结构包括金属。

5.根据权利要求1所述的晶体管构造，其中所述第一导电结构包括金属氮化物。

6.根据权利要求1所述的晶体管构造，其中所述第一导电结构包括氮化钛及氮化钽中的一或两者。

7.根据权利要求1所述的晶体管构造，其中所述第一绝缘结构包括氧化物。

8.根据权利要求1所述的晶体管构造，其中所述第一绝缘结构包括二氧化硅。

9.根据权利要求1所述的晶体管构造，其中所述铁电结构包括金属氧化物。

10.根据权利要求9所述的晶体管构造，其中所述铁电结构含括铝、钡、钙、铒、铪、镧、铅、镁、铌、锶、钛、钇及锆中的一或多者。

11.根据权利要求1所述的晶体管构造，其中所述第二导电结构包括金属。

12.根据权利要求1所述的晶体管构造，其中所述第二导电结构包括钨及氮化钛中的一或两者。

13.根据权利要求1所述的晶体管构造，其中所述基底包括单晶硅；其中所述源极/漏极区域是所述基底的所述单晶硅的n型掺杂区域；且其中所述源极/漏极区域之间的沟道区域是所述基底的所述单晶硅的p型掺杂区域。

14.一种晶体管构造，其包括：

开口向上的容器形状的第一绝缘结构，其位于基底内；

开口向上的容器形状的第一导电结构，其嵌套在所述容器形状的第一绝缘结构的下部区域内；

开口向上的容器形状的铁电结构，其位于所述第一绝缘结构内且位于所述第一导电结构上方；

第二导电结构，其位于所述容器形状的铁电结构的下部区域内；所述第二导电结构具有在所述第一导电结构的最上表面下方的最上表面；

第二绝缘结构，其位于所述第二导电结构上方且位于所述容器形状的铁电结构内；

一对源极/漏极区域，其相邻于所述容器形状的第一绝缘结构的上部区域且位于所述第一绝缘结构的彼此对置侧上；及

沟道材料，其沿着所述容器形状的第一绝缘结构的外部区域且从所述源极/漏极区域中的一者延伸到另一者。

15.根据权利要求14所述的晶体管构造，其中所述沟道材料是p型掺杂单晶硅基底的部分。

16.根据权利要求14所述的晶体管构造，其中所述第一导电结构包括氮化钛及氮化钽中的一或两者。

17.根据权利要求14所述的晶体管构造，其中所述铁电结构包括金属氧化物。