[发明专利]利用含镓的P型氧化物半导体的有机发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201580048537.8 | 申请日： | 2015-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN106796995B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 张震;金订基;克里斯托夫·文森特·艾维 | 申请（专利权）人： | 庆熙大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开利用含镓的P型氧化物半导体的有机发光二极管及其制造方法。本发明的有机发光二极管包括阳极、空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层及阴极，其特征在于所述空穴注入层为含Ga的P型氧化物半导体。本发明能够实现高效率，能够实现低温及低费用制造。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 氧化物 半导体 有机 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机发光二极管，包括阳极、空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层及阴极，其特征在于：所述空穴注入层为含向CuS及SnO掺入Ga的P型氧化物半导体，所述P型氧化物半导体用选自下述化学式1、化学式2及化学式3的一种以上表示，[化学式1]CuS1‑xGax‑SnO[化学式2]CuSGaxSn1‑xO[化学式3]CuSGaxSnO，所述化学式1、化学式2或化学式3中0<x<1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于庆熙大学校产学协力团，未经庆熙大学校产学协力团许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580048537.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：延迟荧光体用主体材料、有机发光元件及化合物
- 下一篇：有机电致发光器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
