[发明专利]利用含镓的P型氧化物半导体的有机发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管，包括阳极、空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层及阴极，其特征在于：

所述空穴注入层为含向CuS及SnO掺入Ga的P型氧化物半导体，

所述P型氧化物半导体用选自下述化学式1、化学式2及化学式3的一种以上表示，

[化学式1]

CuS_1-xGa_x-SnO

[化学式2]

CuSGaxSn_1-xO

[化学式3]

CuSGa_xSnO，

所述化学式1、化学式2或化学式3中0<x<1。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于：

所述Ga的范围为整个组成的10至70原子百分比。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于：

所述空穴注入层经过了在预设温度进行热处理，或者经过了UV处理。

4.根据权利要求3所述的有机发光二极管，其特征在于：

所述空穴注入层的热处理温度的范围为150至250℃。

5.一种有机发光二极管，包括阳极、空穴注入·输送层、发光层、电子输送层及阴极，其特征在于：

所述空穴注入·输送层是含向CuS及SnO掺入Ga的P型氧化物半导体，

所述P型氧化物半导体用选自下述化学式1、化学式2及化学式3的一种以上表示，

[化学式1]

CuS_1-xGa_x-SnO

[化学式2]

CuSGaxSn_1-xO

[化学式3]

CuSGa_xSnO，

所述化学式1、化学式2或化学式3中0<x<1。

6.一种有机发光二极管制造方法，其特征在于，包括：

通过真空沉积工序在基板上形成阳极的步骤；

通过溶液工序在所述阳极上形成空穴注入层的步骤；

通过真空沉积工序在所述空穴注入层上形成空穴输送层的步骤；

通过真空沉积工序在所述空穴输送层上形成发光层的步骤；

通过真空沉积工序在所述发光层上形成电子输送层的步骤；及

在所述电子输送层上形成阴极的步骤，

所述空穴注入层由P型氧化物半导体混合到溶剂的溶液成膜形成，

所述P型氧化物半导体包括向CuS及SnO掺入的Ga，

所述P型氧化物半导体用选自下述化学式1、化学式2及化学式3的一种以上表示，

[化学式1]

CuS_1-xGa_x-SnO

[化学式2]

CuSGaxSn_1-xO

[化学式3]

CuSGa_xSnO，

所述化学式1、化学式2或化学式3中0<x<1。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：

所述Ga的范围为整个组成的10至70原子百分比。

8.根据权利要求6所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：

向乙二醇混合5至50体积百分比的氰化甲烷、去离子水、乙醇、环己烷及甲苯中至少一个得到所述溶剂。

9.根据权利要求6所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于，所述P型氧化物半导体通过依次执行以下步骤形成：

a）制备含Cu、S、M及Ga的前驱体溶液的步骤，其中，M为选自SnO、ITO、IZTO、IGZO及IZO的一种以上化合物；

b）将所述前驱体溶液涂布到基板上的步骤；以及

c）热处理涂层的步骤。