[发明专利]利用含镓的P型氧化物半导体的有机发光二极管及其制造方法

说明书

本发明公开利用含镓的P型氧化物半导体的有机发光二极管及其制造方法。本发明的有机发光二极管包括阳极、空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层及阴极，其特征在于所述空穴注入层为含Ga的P型氧化物半导体。本发明能够实现高效率，能够实现低温及低费用制造。

技术领域

本发明涉及利用含镓的P型氧化物半导体的有机发光二极管及其制造方法。

背景技术

目前在为制造高效率的有机发光二极管而正在进行开发。

其中空穴的移动是非常重要的部分。典型的空穴注入层为聚(3，4-乙撑二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸钠(Poly(3，4-ethylenedioxythiophene)poly(st yrenesulfonate)；PEDOT：PSS)层，但在空穴的注入与移动及有机发光二极管的效率方面具有局限性。

并且，将PEDOT：PSS作为空穴注入层的情况下需要退火(annealin g)时间，因此具有工序时间加长的问题。

另外，在研究用氧化物半导体替代空穴注入层。其原因在于氧化物半导体移动度高且透明，因此能够容易实现透明显示器，而且被评价为能够解决现有技术局限性的技术。

另外，由于在常温具有非晶质(amorphous)或多晶质(polycrystalli ne)结构，因此不需要另外进行用于形成晶粒(grain)的热处理过程，适用有机发光二极管时具有良好的特性。

氧化物半导体因氧空位(oxygen-vacancies)与锌填隙(zinc interstiti als)而主要被视为n型，缺点是难以p型掺杂。

如上，由于目前已知的氧化物半导体大部分显现n型(n-type)特性，因此制得具有p型(p-type)特性的透明氧化物半导体的情况下，在用作有机发光二极管的空穴注入层方面具有诸多好处，因此目前需要进行研究，通过调节掺杂条件或开发新物质等找到p型透明氧化物半导体材料。

发明内容

技术问题

为解决上述技术问题，本发明提供一种利用含镓的P型氧化物半导体的有机发光二极管及其制造方法。

本领域技术人员可通过下述实施例导出本发明的其他目的。

技术方案

为解决上述技术问题，本发明的一个实施例提供一种有机发光二极管，包括阳极、空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层及阴极，其特征在于所述空穴注入层为含Ga的P型氧化物半导体。

所述P型氧化物半导体包括向CuS及SnO掺入的所述Ga。

所述Ga的范围可以是整个组成的10至70百分比(原子百分比)。

所述P型氧化物半导体用选自下述化学式1、化学式2及化学式3的一种以上表示，

[化学式1]

CuS_1-xGa_x-SnO

[化学式2]

CuSGaxSn_1-xO

[化学式3]

CuSGa_xSnO，

所述化学式1、化学式2或化学式3中0＜x＜1。

所述空穴注入层可以经过了在预设温度进行热处理，或者经过了UV处理。

所述空穴注入层的热处理温度的范围可以是150至250℃。