[发明专利]半导体基板的缺陷区域的评价方法

摘要

本发明提供一种半导体基板的缺陷区域的评价方法，其根据形成于半导体基板上的MOS结构的C‑V特性来评价半导体基板的缺陷区域，该评价方法的特征在于，预先使用已知缺陷区域的类型的半导体基板，在与评价作为评价对象的半导体基板的缺陷区域时相同的热处理条件、以及C‑V特性评价条件下，求出缺陷区域与平带电压或固定电荷密度的关系，在对作为评价对象的半导体基板的缺陷区域的评价中，根据由形成于半导体基板上的MOS结构的C‑V特性求出的平带电压或固定电荷密度，基于预先求出的缺陷区域与平带电压或固定电荷密度的关系，对作为评价对象的半导体基板的缺陷区域进行判定。由此，提供一种即使氧浓度低也能够以简便的方法判定半导体基板的缺陷区域的半导体基板的缺陷区域的评价方法。

主权项

1.一种半导体基板的缺陷区域的评价方法，其根据形成于半导体基板上的MOS结构的C‑V特性来评价半导体基板的缺陷区域，该评价方法的特征在于，预先使用已知缺陷区域的类型的半导体基板，在与评价作为评价对象的半导体基板的缺陷区域时相同的热处理条件、以及C‑V特性评价条件下，求出缺陷区域与平带电压或固定电荷密度的关系，在对作为评价对象的半导体基板的缺陷区域的评价中，根据由形成于半导体基板上的MOS结构的C‑V特性求出的平带电压或固定电荷密度，基于预先求出的缺陷区域与平带电压或固定电荷密度的关系，对作为评价对象的半导体基板的缺陷区域进行判定，对作为评价对象的半导体基板的缺陷区域的所述判定，判定缺陷区域为空位缺陷占优势的V区域、虽然是N区域但空位缺陷占优势的Nv区域、虽然是N区域但晶格间缺陷占优势的Ni区域、晶格间缺陷占优势的I区域中的哪一个。