[发明专利]透明导电性薄膜有效
| 申请号： | 201580001267.5 | 申请日： | 2015-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105452520B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 川上梨恵;加藤大贵;佐佐和明;待永广宣;宫崎司;上田恵梨 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;B32B9/00;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、配置在透明基材(2)的厚度方向的一侧且由树脂层形成的第1光学调整层(4)、在第1光学调整层(4)的厚度方向的一侧以与第1光学调整层(4)接触的方式配置的无机物层(5)、以及配置在无机物层(5)的厚度方向的一侧的透明导电层(6)。无机物层(5)的厚度为10nm以下，透明导电层(6)的厚度方向的一侧的表面的表面粗糙度为1.40nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种透明导电性薄膜，其特征在于，其具备：透明基材，所述透明基材为高分子薄膜；配置在所述透明基材的厚度方向的一侧、由树脂层形成的第1光学调整层；在所述第1光学调整层的厚度方向的一侧、以与所述第1光学调整层接触的方式配置的无机物层；配置在所述无机物层的厚度方向的一侧的透明导电层，所述无机物层的厚度为10nm以下，所述透明导电层的厚度方向的一侧的表面的表面粗糙度为1.40nm以下。
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