[发明专利]透明导电性薄膜有效
| 申请号： | 201580001267.5 | 申请日： | 2015-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105452520B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 川上梨恵;加藤大贵;佐佐和明;待永广宣;宫崎司;上田恵梨 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;B32B9/00;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 薄膜 | ||
1.一种透明导电性薄膜，其特征在于，其具备：
透明基材，所述透明基材为高分子薄膜；
配置在所述透明基材的厚度方向的一侧、由树脂层形成的第1光学调整层；
在所述第1光学调整层的厚度方向的一侧、以与所述第1光学调整层接触的方式配置的无机物层；
配置在所述无机物层的厚度方向的一侧的透明导电层，
所述无机物层的厚度为10nm以下，
所述透明导电层的厚度方向的一侧的表面的表面粗糙度为1.40nm以下。
2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述第1光学调整层的厚度小于200nm。
3.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述第1光学调整层实质上不含有颗粒。
4.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述无机物层的厚度方向的一侧的表面的表面粗糙度为0.20nm以上且0.70nm以下。
5.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，其还具备第2光学调整层，所述第2光学调整层配置在所述透明基材的厚度方向的一侧且所述第1光学调整层的厚度方向的另一侧，与所述第1光学调整层的折射率不同。
6.根据权利要求5所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述第1光学调整层的折射率比所述第2光学调整层的折射率低。
7.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述透明导电层的厚度为25nm以上且40nm以下。
8.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述透明导电层的电阻率为1.1×10-4Ω·cm以上且2.5×10-4Ω·cm以下。
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