[发明专利]透明导电性薄膜

说明书

透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、配置在透明基材(2)的厚度方向的一侧且由树脂层形成的第1光学调整层(4)、在第1光学调整层(4)的厚度方向的一侧以与第1光学调整层(4)接触的方式配置的无机物层(5)、以及配置在无机物层(5)的厚度方向的一侧的透明导电层(6)。无机物层(5)的厚度为10nm以下，透明导电层(6)的厚度方向的一侧的表面的表面粗糙度为1.40nm以下。

技术领域

本发明涉及一种透明导电性薄膜，详细而言，涉及一种在触摸面板用薄膜等中使用的透明导电性薄膜。

背景技术

以往以来，已知图像显示装置具备触摸面板用薄膜，所述触摸面板用薄膜形成有由铟锡复合氧化物(ITO)等形成的透明布线层。触摸面板用薄膜通常通过在透明基材上层叠了ITO层等的透明导电性薄膜中使ITO层图案化成布线图案来制造(例如参照专利文献1。)。

专利文献1中公开了如下透明导电层叠体：其具有透明基材、高折射率层、低折射率层及透明布线层，低折射率层和透明布线层各自的表面构成凹凸面，在形成有透明布线层的区域和未形成透明布线层的区域二者中，雾度为0.8～2.0％。在该透明导电层叠体中，以不明显的方式形成有透明布线层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-107214号公报

发明内容

发明要解决的问题

近年来，伴随着图像显示装置的大型化和薄膜化的要求，透明导电性薄膜的大型化和薄膜化的要求也提高。然而，若使透明导电性薄膜的ITO层大型化、薄膜化，则ITO层整体或一部分的电阻增加，其结果，产生触摸面板的灵敏度等各功能降低的不良状况。因此，要求减小ITO层的电阻率(低电阻化)。

但是，专利文献1中无法实现ITO层的低电阻化。

本发明的目的在于，提供电阻率优异的透明导电性薄膜。

用于解决问题的方案

本发明的透明导电性薄膜的特征在于，其具备：透明基材、配置在前述透明基材的厚度方向的一侧且由树脂层形成的第1光学调整层、在前述第1光学调整层的厚度方向的一侧以与前述第1光学调整层接触的方式配置的无机物层、以及配置在前述无机物层的厚度方向的一侧的透明导电层，前述无机物层的厚度为10nm以下，前述透明导电层的厚度方向的一侧的表面的表面粗糙度为1.40nm以下。

此外，本发明的透明导电性薄膜中适宜的是，前述第1光学调整层的厚度小于200nm。

此外，本发明的透明导电性薄膜中适宜的是，前述第1光学调整层实质上不含有颗粒。

此外，本发明的透明导电性薄膜中适宜的是，前述无机物层的厚度方向的一侧的表面的表面粗糙度为0.20nm以上且0.70nm以下。

此外，本发明的透明导电性薄膜适宜的是，还具备配置在前述透明基材的厚度方向的一侧且前述第1光学调整层的厚度方向的另一侧、且与前述第1光学调整层的折射率不同的第2光学调整层。

此外，本发明的透明导电性薄膜中适宜的是，前述第1光学调整层的折射率比前述第2光学调整层的折射率低。

此外，本发明的透明导电性薄膜中适宜的是，前述透明导电层的厚度为25nm以上且40nm以下。

此外，本发明的透明导电性薄膜中适宜的是，前述透明导电层的电阻率为1.1×10^-4Ω·cm以上且2.5×10^-4Ω·cm以下。

发明的效果