[实用新型]QFN封装结构有效

专利信息
申请号: 201521134763.1 申请日: 2015-12-31
公开(公告)号: CN205282462U 公开(公告)日: 2016-06-01
发明(设计)人: 陈莉;司文全;王建新 申请(专利权)人: 无锡华润安盛科技有限公司
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;H01L23/373
代理公司: 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 代理人: 庞聪雅
地址: 214028 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种QFN封装结构,包括由银制成的基材,所述基材的厚度为40-60um,所述基材上通过粘合层固定有芯片,所述芯片通过引线与所述基材相连,所述基材上设置有覆盖所述基材、所述芯片及引线的塑封体;所述QFN封装结构的封装厚度为0.25-0.75mm。本实用新型采用银作为基材,没有多种金属的交互干扰和传递,保证了QFN产品的电性能和热性能,并且基材的厚度为40-60um,可实现QFN产品的小型化。
搜索关键词: qfn 封装 结构
【主权项】:
一种QFN封装结构,其特征是:包括由银制成的基材(1),所述基材(1)的厚度为40‑60um,所述基材(1)上通过粘合层(2)固定有芯片(3),所述芯片(3)通过引线(4)与所述基材(1)相连,所述基材(1)上设置有覆盖所述基材(1)、所述芯片(3)及引线(4)的塑封体(5)。
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