[实用新型]QFN封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路封装技术，具体地说是一种QFN封装结构。

背景技术

QFN(QuadFlatNo-leadPackage，方形扁平无引脚封装)是表面贴装型封 装之一。QFN是一种无引脚封装，呈正方形或矩形，封装底部中央位置有一个 大面积裸露焊盘用来导热，围绕大焊盘的封装外围四周有实现电气连结的导电 焊盘。

传统的QFN封装结构如图1所示，它是基于铜材的一种封装结构方式，产 品基材一般是由铜材12和镀层11两部分构成，基材的外形由连接筋、支撑载 体和焊接区组成。铜材12通常为A194、C7025等合金，铜材12表面电镀上金 属镀层11以实现焊接功能，镀层11一般采用锡或者镍钯金。

这种传统类型的QFN存在以下缺点：(1)由于基材存在连接筋，引脚之间 的信号在传输的时候会受到干扰；(2)基材厚度至少为0.1mm，无法实现0.35mm 厚度以下更薄更小的QFN产品；(3)由于加工工艺(腐蚀)和结构的限制，类 似产品只能实现2排引脚的封装，封装尺寸大小也会受到限制；(4)现有QFN 产品的镀层结构决定了加工环节必须有电镀环节，电镀一般会产生大量废水废 渣，造成环境负担。

发明内容

本实用新型针对上述传统QFN封装结构存在的问题，提供一种新型的QFN 封装结构，该结构可保证QFN产品的电性能，以及实现QFN产品的小型化。

按照本实用新型的技术方案：一种QFN封装结构，包括由银制成的基材， 所述基材的厚度为40-60um，所述基材上通过粘合层固定有芯片，所述芯片通过 引线与所述基材相连，所述基材上设置有覆盖所述基材、所述芯片及引线的塑 封体。

所述QFN封装结构的封装厚度为0.25-0.75mm。

所述基材的中央布置有支撑载体，所述支撑载体的周围布置有多个焊接区， 所述焊接区间的间距大于等于0.3mm。

本实用新型的技术效果在于：本实用新型采用银作为基材，没有多种金属 的交互干扰和传递，保证了QFN产品的电性能和热性能，并且基材的厚度为 40-60um，可实现QFN产品的小型化。

附图说明

图1为传统的QFN封装结构的剖面图。

图2为本实用新型的结构剖面图。

图3为图2的仰视图。

图1～图3中，附图标记所分别指代的技术特征为：基材1、粘合层2、芯 片3、引线4、塑封体5、支撑载体6、焊接区7、镀层11、铜材12。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附 图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

如图2所示，本实用新型是一种QFN封装结构，包括由银制成的基材1， 基材1的厚度为40-60um，基材1上通过粘合层2固定有芯片3，芯片3通过引 线4与基材1相连，基材1上设置有覆盖基材1、芯片3及引线4的塑封体5。

QFN封装结构的封装厚度为0.25-0.75mm。

如图3所示，是基材1的一种实施例。基材1的中央布置有支撑载体6，支 撑载体6的周围布置有多个焊接区7，焊接区7有规律地排列，焊接区7间的间 距大于等于0.3mm。

本实用新型使用金属银作为基材，没有多种金属的交互干扰和传递，可保 证QFN产品的电性能和热性能，同时银基材也可以保证产品封装良好的作业性； 银基材不需要电镀，可节约成本，减少污染。另外，本实用新型可以实现排布 任意排数的引脚，并且引脚的形状也可以千变万化。

上文对本实用新型进行了足够详细的具有一定特殊性的描述。所属领域内 的普通技术人员应该理解，实施例中的描述仅仅是示例性的，在不偏离本实用 新型的真实精神和范围的前提下做出所有改变都应该属于本实用新型的保护范 围。本实用新型所要求保护的范围是由所述的权利要求书进行限定的，而不是 由实施例中的上述描述来限定的。