[实用新型]图像传感器封装有效
| 申请号: | 201521116633.5 | 申请日: | 2015-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN205248278U | 公开(公告)日: | 2016-05-18 |
| 发明(设计)人: | 崔瑞易 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/31;H01L23/48 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 郭思宇 |
| 地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本实用新型涉及图像传感器封装,包括:透明衬底;附接于透明衬底上的多个坝体结构;图像传感器管芯,附接于坝体结构上使得图像传感器管芯的相对两侧中的每一侧上有一个坝体结构,图像传感器管芯具有最远离透明衬底的顶表面和最靠近透明衬底的底表面,以及连接顶表面和底表面的相对的第一侧表面和第二侧表面,图像传感器管芯的底表面上具有图像像素阵列;垂直穿过图像传感器管芯的多个导电通孔;形成在图像传感器管芯的第一侧表面和第二侧表面、图像传感器管芯的每一侧的坝体结构的侧表面和透明衬底的相对侧表面上的成型材料;图像传感器封装的侧表面完全由成型材料形成。图像传感器封装使得能够防止外部材料到达图像传感器的气密图像传感器封装。 | ||
| 搜索关键词: | 图像传感器 封装 | ||
【主权项】:
一种图像传感器封装(336),其特征在于包括:透明衬底(317;337;338);附接于所述透明衬底上的多个坝体结构(320);图像传感器管芯(326;328),被附接于所述坝体结构上使得所述图像传感器管芯的相对两侧中的每一侧上有一个坝体结构,所述图像传感器管芯具有最远离所述透明衬底的顶表面和最靠近所述透明衬底的底表面,以及连接所述顶表面和底表面的相对的第一侧表面和第二侧表面,所述图像传感器管芯的最靠近所述透明衬底的底表面上具有图像像素阵列(322);垂直穿过所述图像传感器管芯的多个导电通孔(324);和形成在所述图像传感器管芯的所述第一侧表面和所述第二侧表面、所述图像传感器管芯的每一侧的所述坝体结构的侧表面和所述透明衬底的相对的每一侧表面上的成型材料(330);其中,所述图像传感器封装(336)的侧表面完全由所述成型材料形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司,未经半导体元件工业有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201521116633.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





