[实用新型]抗静电放电的高压半导体器件有效
| 申请号： | 201521083639.7 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN205303469U | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 陈胜利 | 申请（专利权）人： | 陈胜利 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L23/60 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种高压半导体器件，包含：一衬底，具有一上表面；一栅极，设置于衬底的上表面的上方，而沿着衬底的上表面横向延伸而围置成具有一内围置部的一封闭的栅极框体；一漏极，设置于栅极框体的内围置部；一源极，设置于栅极框体的外部，源极在衬底的上表面的上方横向延伸而围置成一封闭的源极框体，源极框体围绕栅极框体；以及一体极，设置于源极的外部，其中，漏极为正多边形、圆型或椭圆型而具有较大的布局比例，体极尽量对称排列且有较小的布局面积，使本实用新型的高压半导体器件的寄生BJT基极接至体极的电阻变大，进而提高抗静电放电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 抗静电 放电 高压 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种高压半导体器件，包含：一衬底，具有一上表面；一栅极，设置于所述衬底的所述上表面的上方，而沿着所述衬底的所述上表面横向延伸而围置成具有一内围置部的一封闭的栅极框体；一漏极，设置于所述栅极框体的所述内围置部，所述漏极为正多边形、圆形或椭圆形；一源极，设置于所述栅极框体的外部，所述源极在所述衬底的所述上表面的上方横向延伸而围置成一封闭的源极框体，所述源极框体围绕所述栅极框体；以及一体极，设置于所述源极的外部。
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