[实用新型]抗静电放电的高压半导体器件有效
| 申请号： | 201521083639.7 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN205303469U | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 陈胜利 | 申请（专利权）人： | 陈胜利 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L23/60 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抗静电 放电 高压 半导体器件 | ||
1.一种高压半导体器件，包含：
一衬底，具有一上表面；
一栅极，设置于所述衬底的所述上表面的上方，而沿着所述衬底的所述 上表面横向延伸而围置成具有一内围置部的一封闭的栅极框体；
一漏极，设置于所述栅极框体的所述内围置部，所述漏极为正多边形、 圆形或椭圆形；
一源极，设置于所述栅极框体的外部，所述源极在所述衬底的所述上表 面的上方横向延伸而围置成一封闭的源极框体，所述源极框体围绕所述栅极 框体；以及
一体极，设置于所述源极的外部。
2.如权利要求1所述的高压半导体器件，其特征在于，所述栅极框体的 宽度为固定的。
3.如权利要求1所述的高压半导体器件，其特征在于，所述栅极框体的 内缘与所述漏极之间的间距为等距。
4.如权利要求1所述的高压半导体器件，其特征在于，所述体极为多边 形、圆形或椭圆形。
5.如权利要求1所述的高压半导体器件，其特征在于，所述源极与所述 体极为非短路相接型式。
6.如权利要求1所述的高压半导体器件，其特征在于，还包括一隔离区 块，设置于所述源极及所述体极之间。
7.如权利要求6所述的高压半导体器件，其特征在于，所述隔离区块为 一浅沟渠隔离区或是一硅局部氧化区。
8.如权利要求1所述的高压半导体器件，其特征在于，还包括一深埋层， 设置于所述衬底的所述上表面。
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