[实用新型]双向功率开关有效
| 申请号: | 201520977597.5 | 申请日: | 2015-11-30 |
| 公开(公告)号: | CN205282475U | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
| 发明(设计)人: | Y·阿格;S·蒙纳德 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(图尔)公司 |
| 主分类号: | H01L27/08 | 分类号: | H01L27/08 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种双向功率开关,包括被反平行连接在开关的第一和第二导电端子之间的第一和第二晶闸管。第一晶闸管是阳极栅极晶闸管,而第二晶闸管是阴极栅极晶闸管。第一和第二晶闸管的栅极端子通过对应的偶极子电路耦合至开关的同一控制端子。偶极子电路中的至少一个通过至少一个二极管或至少一个电阻器来形成。 | ||
| 搜索关键词: | 双向 功率 开关 | ||
【主权项】:
一种双向功率开关,其特征在于包括:被反平行连接在第一导电端子和第二导电端子之间的第一晶闸管和第二晶闸管,所述第一晶闸管是阳极栅极晶闸管,所述第二晶闸管是阴极栅极晶闸管,并且所述第一晶闸管和所述第二晶闸管的栅极端子被连接至所述开关的同一控制端子,其中连接从由至少一个二极管和至少一个电阻器组成的组中选择的电路元件以将所述第一晶闸管的栅极端子与所述第二晶闸管的栅极端子分离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(图尔)公司,未经意法半导体(图尔)公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520977597.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





