[实用新型]双向功率开关

权利要求书

1.一种双向功率开关，其特征在于包括：

被反平行连接在第一导电端子和第二导电端子之间的第一晶闸 管和第二晶闸管，所述第一晶闸管是阳极栅极晶闸管，所述第二晶闸 管是阴极栅极晶闸管，并且所述第一晶闸管和所述第二晶闸管的栅极 端子被连接至所述开关的同一控制端子，

其中连接从由至少一个二极管和至少一个电阻器组成的组中选 择的电路元件以将所述第一晶闸管的栅极端子与所述第二晶闸管的 栅极端子分离。

2.根据权利要求1所述的开关，其特征在于，所述电路元件包 括将所述第一晶闸管的栅极端子连接至所述控制端子的第一偶极子 以及将所述第二晶闸管的栅极端子连接至所述控制端子的第二偶极 子，

其中所述第一偶极子包括从由电阻器、二极管、二极管和电阻器 的串联集合、导线和导电轨组成的组中选择的电路，并且所述第二偶 极子包括从由所述二极管和所述电阻器组成的组中选择的电路。

3.根据权利要求2所述的开关，其特征在于，所述第一偶极子 是其阳极连接至所述第一晶闸管的栅极端子并且其阴极连接至所述 控制端子的二极管，并且其中所述第二偶极子是其阳极连接至所述第 二晶闸管的栅极端子并且其阴极连接至所述控制端子的二极管。

4.根据权利要求3所述的开关，其中所述第一晶闸管和所述第 二晶闸管是在象限Q1中导通的类型。

5.根据权利要求2所述的开关，其特征在于，所述第一偶极子 是其阴极连接至所述第一晶闸管的栅极端子并且其阳极连接至所述 控制端子的二极管，并且其中所述第二偶极子是其阴极连接至所述第 二晶闸管的栅极端子并且其阳极连接至所述控制端子的二极管。

6.根据权利要求5所述的开关，其特征在于，所述第一晶闸管 和所述第二晶闸管是在象限Q2中导通的类型。

7.根据权利要求2所述的开关，其特征在于，所述第一偶极子 包括值大于10欧姆的电阻器。

8.根据权利要求2所述的开关，其特征在于，所述第一晶闸管 和所述第二晶闸管被布置在同一保护封装中，所述保护封装包括相应 地连接至所述开关的所述第一导电端子和所述第二导电端子、所述第 一晶闸管的栅极端子和所述第二晶闸管的栅极端子的四个外部连接 端子，并且其中所述第一偶极子和所述第二偶极子被布置在所述封装 之外。

9.根据权利要求2所述的开关，其特征在于，所述第一晶闸管 和所述第二晶闸管以及所述第一偶极子和所述第二偶极子被布置在 同一保护封装中，所述保护封装包括相应地连接至所述第一导电端子 和所述第二导电端子以及所述开关的所述控制端子的三个外部连接 端子。

10.根据权利要求9所述的开关，其特征在于，所述第一偶极子 和所述第二偶极子被集成到包括一个或多个所述第一晶闸管和所述 第二晶闸管的半导体芯片中。

11.根据权利要求9所述的开关，其特征在于，所述第一偶极子 和所述第二偶极子是放置在包括一个或多个所述第一晶闸管和所述 第二晶闸管的半导体芯片上的分立部件。

12.根据权利要求1所述的开关，其特征在于，所述第一晶闸管 和所述第二晶闸管被布置在不同半导体芯片中。

13.根据权利要求1所述的开关，其特征在于，所述第一晶闸管 和所述第二晶闸管被集成在同一半导体芯片中并且通过绝缘区域分 离。