[实用新型]一种光衰炉的控温系统有效
申请号: | 201520496319.8 | 申请日: | 2015-07-10 |
公开(公告)号: | CN204857673U | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 唐岳泉;苏金财;洗志军 | 申请(专利权)人: | 东莞市科隆威自动化设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18;F27D19/00 |
代理公司: | 广东莞信律师事务所 44332 | 代理人: | 曾秋梅 |
地址: | 523000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型属于太阳能电池片制造设备技术领域,具体涉及一种光衰炉的控温系统,光衰炉包括上炉胆、下炉胆、光源箱、传送装置和加热装置,传送装置设置于由上炉胆和下炉胆形成的容置空间内,加热装置与容置空间连接,光源箱设置于上炉胆的上方;控温系统包括设置于下炉胆的侧壁上的若干个压缩空气进入管,若干个压缩空气进入管的开口朝向均与传送装置的运动方向相反。相对于现有技术,本实用新型包括设置于下炉胆的侧壁上的若干个压缩空气进入管,其可以将压缩空气由高温区往低温区吹,以有效快速地中和下炉胆内的温度,快速达到设置的温度,如此就能较好的保证硅片各处的位置的均匀性和恒定性,以保证较佳的硅片光衰效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 光衰炉 系统 | ||
【主权项】:
一种光衰炉的控温系统,其特征在于:所述光衰炉包括上炉胆、下炉胆、光源箱、传送装置和加热装置,所述传送装置设置于由所述上炉胆和所述下炉胆形成的容置空间内,所述加热装置与所述容置空间连接,所述光源箱设置于所述上炉胆的上方;所述控温系统包括设置于所述下炉胆的侧壁上的若干个压缩空气进入管,若干个所述压缩空气进入管的开口朝向均与所述传送装置的运动方向相反,并且若干个所述压缩空气进入管均位于所述加热装置的上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造