[实用新型]一种光衰炉的控温系统有效
申请号: | 201520496319.8 | 申请日: | 2015-07-10 |
公开(公告)号: | CN204857673U | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 唐岳泉;苏金财;洗志军 | 申请(专利权)人: | 东莞市科隆威自动化设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18;F27D19/00 |
代理公司: | 广东莞信律师事务所 44332 | 代理人: | 曾秋梅 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光衰炉 系统 | ||
技术领域
本实用新型属于太阳能电池片制造设备技术领域,具体涉及一种光衰炉的控温系统。
背景技术
自从1973年Fischer和Pschunder第一次发现硼掺杂硅片的光衰现象以来,晶体硅材料及其太阳能电池的光衰问题就一直受到人们的关注。虽然文献中有不少关于晶体硅片及其太阳能电池光衰规律研究的报道,但是,现有技术中,太阳能电池片的生产厂家一般不会对硅片进行光衰处理,这就使得硅片的光衰要到太阳能电池使用时才会发生,这就使得太阳能电池的光电转换效率降低,而且会影响太阳能电池的使用寿命。
在对硅片进行光衰处理的过程中,温度的均匀和恒定是关键因素。有鉴于此,确有必要提供一种光衰炉的控温系统,其能够使得炉内各处的温度保持均匀、稳定,从而保证硅片的光衰效果。
实用新型内容
本实用新型的目的在于:针对现有技术的不足,而提供一种光衰炉的控温系统,其能够使得炉内各处的温度保持均匀、稳定,从而保证硅片的光衰效果。
为了达到上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种光衰炉的控温系统,所述光衰炉包括上炉胆、下炉胆、光源箱、传送装置和加热装置,所述传送装置设置于由所述上炉胆和所述下炉胆形成的容置空间内,所述加热装置与所述容置空间连接,所述光源箱设置于所述上炉胆的上方;
所述控温系统包括设置于所述下炉胆的侧壁上的若干个压缩空气进入管,若干个所述压缩空气进入管的开口朝向均与所述传送装置的运动方向相反,并且若干个所述压缩空气进入管均位于所述加热装置的上方。
作为本实用新型光衰炉的控温系统的一种改进,所述压缩空气进入管包括插接段和吹风段,所述插接段的一端与所述下炉胆的侧壁连接并与压缩空气相通,所述插接段的另一端与所述吹风段连接,所述吹风段的开口与所述传送装置的运动方向相反。
作为本实用新型光衰炉的控温系统的一种改进,所述吹风段的长度方向与所述下炉胆的侧壁平行。
作为本实用新型光衰炉的控温系统的一种改进,所述压缩空气进入管在所述下炉胆的侧壁的长度方向上均匀分布。
作为本实用新型光衰炉的控温系统的一种改进,所述控温系统还包括设置于所述光源箱内的冷凝器和离心风机,所述离心风机与所述光源箱的上部相连,所述冷凝器的一端与所述光源箱的内部相通,所述冷凝器的另一端与所述离心风机相通。
作为本实用新型光衰炉的控温系统的一种改进,所述加热装置包括发热板、热风马达和加热炉体,所述加热炉体置于所述下炉胆内,所述发热板设置于所述加热炉体上,所述热风马达的一端嵌入所述加热炉体内;
所述控温系统还包括设置于所述热风马达上的鲜风补入口和与所述加热炉体内连接的热排口。
作为本实用新型光衰炉的控温系统的一种改进,所述加热炉体包括内壳层和表壳层,所述内壳层和所述表壳层均设置为不锈钢构件,所述发热板设置于所述内壳层上;
所述控温系统还包括形成于所述内壳层和所述表壳层之间的空气流道和设置于所述发热板的两端的进风口,并且所述进风口与所述空气流道连通。
作为本实用新型光衰炉的控温系统的一种改进,所述内壳层包括底板和侧壁,所述底板上设置有可供所述热风马达穿出的通孔,所述侧壁包括倾斜段和竖直段,所述竖直段的一端通过所述倾斜段与所述底板连接,所述竖直段的另一端与所述发热板连接。
作为本实用新型光衰炉的控温系统的一种改进,所述下炉胆和所述加热炉体之间设置有保温棉层。
相对于现有技术,本实用新型提供的光衰炉的控温系统包括设置于下炉胆的侧壁上的若干个压缩空气进入管,由于在传送装置的带动下,硅片随着传送装置一起运动,在加热装置的加热作用下,硅片越往后运动温度越高,而压缩空气进入管则可以将压缩空气向前吹,即压缩空气由高温区往低温区吹,以有效快速地中和下炉胆内的温度,快速达到设置的温度,如此就能较好的保证硅片各处的位置的均匀性和恒定性,以保证较佳的硅片光衰效果。
附图说明
图1为本实用新型中光衰炉整体的剖视结构示意图。
图2为本实用新型中下炉胆的部分结构示意图(其中包括本实用新型的其中一个控温系统)。
图3为本实用新型中光源箱的立体结构示意图(其中包括本实用新型的第二个控温系统)。
图4为本实用新型中光源箱的剖视结构示意图(其中包括本实用新型的第二个控温系统)。
图5为本实用新型中加热装置的分解结构示意图(其中包括本实用新型的第三个控温系统)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造