[实用新型]一种多硬盘系统错峰上电控制电路有效

专利信息
申请号: 201520330897.4 申请日: 2015-05-21
公开(公告)号: CN204595760U 公开(公告)日: 2015-08-26
发明(设计)人: 吴安 申请(专利权)人: 浪潮电子信息产业股份有限公司
主分类号: G06F1/26 分类号: G06F1/26
代理公司: 济南信达专利事务所有限公司 37100 代理人: 姜明
地址: 250101 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 实用新型公开了一种多硬盘系统错峰上电控制电路,属于计算机电路技术领域;控制电路为由系统电源输出端,经过电压调节器连接硬盘工作电压输入端,将电压转至硬盘工作电压输出端,硬盘工作电压输出端分别连接各个硬盘电路单元;硬盘电路单元设置电容,电容放电电阻及电容充电电阻,P型MOS管开关,N型MOS管开关;其中硬盘工作电压输出端连接电容充电电阻及P型MOS管开关,P型MOS管开关连接至硬盘,N型MOS管开关一端连接至P型MOS管开关,一端与电容连接;不同组硬盘电路单元的电容与电容充电电阻值不同;本实用新型防止多个硬盘统一供电时,硬盘启动峰值电流过大造成供电电路过流保护,而使系统无法启动的情况发生。
搜索关键词: 一种 硬盘 系统 错峰上电 控制电路
【主权项】:
一种多硬盘系统错峰上电控制电路,其特征是由系统电源输出端,经过电压调节器连接硬盘工作电压输入端,将电压转至硬盘工作电压输出端,硬盘工作电压输出端分别连接各个硬盘电路单元;硬盘电路单元设置电容,电容放电电阻及电容充电电阻,P型MOS管开关,N型MOS管开关;其中硬盘工作电压输出端连接电容充电电阻及P型MOS管开关,P型MOS管开关连接至硬盘,N型MOS管开关一端连接至P型MOS管开关,一端与电容连接;不同组硬盘电路单元的电容与电容充电电阻值不同。
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