[实用新型]一种多硬盘系统错峰上电控制电路有效
| 申请号: | 201520330897.4 | 申请日: | 2015-05-21 |
| 公开(公告)号: | CN204595760U | 公开(公告)日: | 2015-08-26 |
| 发明(设计)人: | 吴安 | 申请(专利权)人: | 浪潮电子信息产业股份有限公司 |
| 主分类号: | G06F1/26 | 分类号: | G06F1/26 |
| 代理公司: | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人: | 姜明 |
| 地址: | 250101 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 硬盘 系统 错峰上电 控制电路 | ||
1.一种多硬盘系统错峰上电控制电路,其特征是由系统电源输出端,经过电压调节器连接硬盘工作电压输入端,将电压转至硬盘工作电压输出端,硬盘工作电压输出端分别连接各个硬盘电路单元;硬盘电路单元设置电容,电容放电电阻及电容充电电阻,P型MOS管开关,N型MOS管开关;其中硬盘工作电压输出端连接电容充电电阻及P型MOS管开关,P型MOS管开关连接至硬盘,N型MOS管开关一端连接至P型MOS管开关,一端与电容连接;不同组硬盘电路单元的电容与电容充电电阻值不同。
2.根据权利要求1所述的一种多硬盘系统错峰上电控制电路,其特征是所述硬盘电路单元中电压的输出过程为:由硬盘工作电压输出端输出电压给硬盘电路单元,电容充电电阻开始对电容充电,当充电电压达到P型MOS管开关的门电压阀值时,P型MOS管开关导通,N型MOS管开关的门级被拉低,N型MOS管开关导通,电压输出到硬盘。
3.根据权利要求1或2所述的一种多硬盘系统错峰上电控制电路,其特征是所述的多硬盘系统错峰上电控制电路电压输出过程为:系统电源输出电压经过电压调节器输出硬盘工作电压,硬盘工作电压输出端给各个硬盘电路单元输出电压,因每组电容与电容充电电阻值不同,其中电容充电电阻对电容充电的时间最短的那组硬盘电路单元,充电电压达到P型MOS管开关的门电压阀值的时间最短,P型MOS管开关导通,N型MOS管开关的门级被拉低,N型MOS管开关导通,电压输出到硬盘的时间也最短,最先导通,以后依次进行,直至所有硬盘上电完成。
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