[实用新型]一种生长碳纳米管的等离子体气相沉积系统

摘要

本实用新型公开了一种利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法生长碳纳米管的等离子体气相沉积系统，涉及等离子体化学气相沉积领域及碳纳米管冷阴极领域，以解决现有技术中等离子体分布不均匀从而影响碳纳米管阵列薄膜生长的均匀性的问题。本实用新型系统分两部分，一部分为中心与通气管道相接的金属圆盘，金属圆盘与直流高压电源正极相接，另一部分为位于金属圆盘正下方用于装载待生长样品的金属底盘与高压电源负极相接，在进行等离子体气相沉积实验时，由于将待生长碳纳米管的硅衬底置于金属圆盘中心通气管道的正下方，从而保证待生长碳纳米管的硅衬底表面上等离子体的分布是均匀的。

主权项

一种生长碳纳米管的等离子体气相沉积系统，包括高压电源正极接线柱(1)、高压电源负极接线柱(2)、金属底盘接线柱(3)、加热电源正极接线柱(4)、加热装置负极接线柱(5)、金属底盘(6)、金属圆盘(7)、进气管道(8)、金属圆盘外围接线柱(9)、出气口(10)、绝热层(11)、加热装置(12)及固定装置(13)，所述绝热层(11)围成一个圆柱形腔体(14)；其特征在于，所述高压电源正极接线柱(1)、高压电源负极接线柱(2)关于腔体中轴线对称设置于所述圆柱形腔体底部并贯穿整个腔体(14)底壁；所述进气管道(8)由圆柱形腔体的底部伸入并向上延伸至圆柱形腔体顶部后，其通道方向指向原圆柱形腔体中轴线并向下旋转180度，使得进气管道(8)的出口位于所述圆柱形腔体内的正上方且出气方向指向正下方；所述金属底盘(6)通过支脚固定于圆柱形腔体底部，并位于所述进气管道(8)的出气口的正下方；所述金属底盘接线柱(3)位于所述金属底盘(6)上；所述接线柱(3)通过导线与所述高压电源负极接线柱(2)位于腔体(14)内部一端连接；所述金属圆盘(7)中间开孔并水平放置于进气管道(8)的出气口处，且与所述金属底盘(6)平行；所述金属圆盘(7)通过裹覆于进气管道(8)外部的金属外壁与设置于所述圆柱形腔体底部的金属圆盘外围接线柱(9)连接；所述金属圆盘外围接线柱(9)通过导线与所述高压电源正极接线柱(1)位于腔体(14)外侧的一端连接；所述出气口(10)开设于所述圆柱形腔体的底壁上且位于所述金属底盘(6)的正下方。