[实用新型]一种生长碳纳米管的等离子体气相沉积系统有效
| 申请号: | 201520228986.8 | 申请日: | 2015-04-16 |
| 公开(公告)号: | CN204752846U | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
| 发明(设计)人: | 赵青;曾令珂 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/513 |
| 代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 李明光 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 生长 纳米 等离子体 沉积 系统 | ||
1.一种生长碳纳米管的等离子体气相沉积系统,包括高压电源正极接线柱(1)、高压电源负极接线柱(2)、金属底盘接线柱(3)、加热电源正极接线柱(4)、加热装置负极接线柱(5)、金属底盘(6)、金属圆盘(7)、进气管道(8)、金属圆盘外围接线柱(9)、出气口(10)、绝热层(11)、加热装置(12)及固定装置(13),所述绝热层(11)围成一个圆柱形腔体(14);
其特征在于,所述高压电源正极接线柱(1)、高压电源负极接线柱(2)关于腔体中轴线对称设置于所述圆柱形腔体底部并贯穿整个腔体(14)底壁;
所述进气管道(8)由圆柱形腔体的底部伸入并向上延伸至圆柱形腔体顶部后,其通道方向指向原圆柱形腔体中轴线并向下旋转180度,使得进气管道(8)的出口位于所述圆柱形腔体内的正上方且出气方向指向正下方;
所述金属底盘(6)通过支脚固定于圆柱形腔体底部,并位于所述进气管道(8)的出气口的正下方;所述金属底盘接线柱(3)位于所述金属底盘(6)上;所述接线柱(3)通过导线与所述高压电源负极接线柱(2)位于腔体(14)内部一端连接;
所述金属圆盘(7)中间开孔并水平放置于进气管道(8)的出气口处,且与所述金属底盘(6)平行;所述金属圆盘(7)通过裹覆于进气管道(8)外部的金属外壁与设置于所述圆柱形腔体底部的金属圆盘外围接线柱(9)连接;所述金属圆盘外围接线柱(9)通过导线与所述高压电源正极接线柱(1)位于腔体(14)外侧的一端连接;
所述出气口(10)开设于所述圆柱形腔体的底壁上且位于所述金属底盘(6)的正下方。
2.根据权利要求1所述的生长碳纳米管的等离子体气相沉积系统,其特征在于,所述加热装置(12)为多个形状一致、各具有一个开口的环状非闭合电热丝由上至下等间距叠放而成,所述多个电热丝通过固定装置(13)固定于圆柱腔体(14)内;所述多个环状非闭合电热丝开口的一端均与加热电源正极接线柱(4)连接,所述多个环状非闭合电热丝开口的另一端均与加热装置负极接线柱(5)连接;所述加热电源正极接线柱(4)、加热装置负极接线柱(5)均贯穿于所述圆柱形腔体(14)的底壁。
3.根据权利要求1所述的生长碳纳米管的等离子体气相沉积系统,其特征在于,所述金属底盘(6)为圆形金属底盘。
4.根据权利要求1所述的生长碳纳米管的等离子体气相沉积系统,其特征在于,所述固定装置(13)由绝缘材料制成。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





