[实用新型]一种生长碳纳米管的等离子体气相沉积系统有效

专利信息
申请号: 201520228986.8 申请日: 2015-04-16
公开(公告)号: CN204752846U 公开(公告)日: 2015-11-11
发明(设计)人: 赵青;曾令珂 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26;C23C16/513
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 李明光
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 生长 纳米 等离子体 沉积 系统
【权利要求书】:

1.一种生长碳纳米管的等离子体气相沉积系统,包括高压电源正极接线柱(1)、高压电源负极接线柱(2)、金属底盘接线柱(3)、加热电源正极接线柱(4)、加热装置负极接线柱(5)、金属底盘(6)、金属圆盘(7)、进气管道(8)、金属圆盘外围接线柱(9)、出气口(10)、绝热层(11)、加热装置(12)及固定装置(13),所述绝热层(11)围成一个圆柱形腔体(14);

其特征在于,所述高压电源正极接线柱(1)、高压电源负极接线柱(2)关于腔体中轴线对称设置于所述圆柱形腔体底部并贯穿整个腔体(14)底壁;

所述进气管道(8)由圆柱形腔体的底部伸入并向上延伸至圆柱形腔体顶部后,其通道方向指向原圆柱形腔体中轴线并向下旋转180度,使得进气管道(8)的出口位于所述圆柱形腔体内的正上方且出气方向指向正下方;

所述金属底盘(6)通过支脚固定于圆柱形腔体底部,并位于所述进气管道(8)的出气口的正下方;所述金属底盘接线柱(3)位于所述金属底盘(6)上;所述接线柱(3)通过导线与所述高压电源负极接线柱(2)位于腔体(14)内部一端连接;

所述金属圆盘(7)中间开孔并水平放置于进气管道(8)的出气口处,且与所述金属底盘(6)平行;所述金属圆盘(7)通过裹覆于进气管道(8)外部的金属外壁与设置于所述圆柱形腔体底部的金属圆盘外围接线柱(9)连接;所述金属圆盘外围接线柱(9)通过导线与所述高压电源正极接线柱(1)位于腔体(14)外侧的一端连接;

所述出气口(10)开设于所述圆柱形腔体的底壁上且位于所述金属底盘(6)的正下方。

2.根据权利要求1所述的生长碳纳米管的等离子体气相沉积系统,其特征在于,所述加热装置(12)为多个形状一致、各具有一个开口的环状非闭合电热丝由上至下等间距叠放而成,所述多个电热丝通过固定装置(13)固定于圆柱腔体(14)内;所述多个环状非闭合电热丝开口的一端均与加热电源正极接线柱(4)连接,所述多个环状非闭合电热丝开口的另一端均与加热装置负极接线柱(5)连接;所述加热电源正极接线柱(4)、加热装置负极接线柱(5)均贯穿于所述圆柱形腔体(14)的底壁。

3.根据权利要求1所述的生长碳纳米管的等离子体气相沉积系统,其特征在于,所述金属底盘(6)为圆形金属底盘。

4.根据权利要求1所述的生长碳纳米管的等离子体气相沉积系统,其特征在于,所述固定装置(13)由绝缘材料制成。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520228986.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top