[实用新型]一种生长碳纳米管的等离子体气相沉积系统

说明书

技术领域

本实用新型属于等离子体化学气相沉积领域，具体涉及一种生长碳纳米管的等离子体气相沉积系统。

背景技术

目前用作高功率微波管的电子源主要是传统热阴极，热阴极需要加热至一定温度才能工作，因而热阴极具有预热延迟以及无法快速响应等缺点。相比热阴极而言，场发射冷阴极因为具有室温工作以及快速响应的优点正在逐渐取代传统的热阴极。

碳纳米管自发现以来，其优异独特的场发射特性得到广泛的研究。碳纳米管阵列具有大电流密度、低开启电压、快速响应等良好的场发射特性，碳纳米管是一种作为场发射冷阴极的理想材料，因此碳纳米管冷阴极具有取代传统热阴极用作高功率微波管电子源的趋势。

目前碳纳米管冷阴极的制备工艺还不够成熟，其中生长出的碳纳米管薄膜的均匀性是碳纳米管冷阴极制备工艺的一项重要指标，碳纳米管分布的均匀性将会直接影响碳纳米管冷阴极的场发射性能。

目前制备碳纳米管冷阴极的主要方法为PECVD(PlasmaEnhancedChemicalDeposition)技术，即等离子体增强化学气相沉积技术。等离子体增强化学气相沉积技术将用于生长碳纳米管薄膜的碳源气体利用直流辉光放电、射频放电或微波放电的方式电离为等离子体，然后在镀覆有铁催化剂层的硅衬底上沉积出碳纳米管薄膜，等离子体的活性很强使得碳纳米管的生长反应能够在较低的温度下进行。

图1为现有用于碳纳米管生长的化学气相沉积系统的结构示意图，其中反应腔中由上至下包括高功率微波或射频输入端口、RF电极、进气口、基片载物台、加热装置以及出气口。

现有用于碳纳米管生长的等离子体气相沉积技术工作过程如下：

首先将待生长碳纳米管的硅衬底置于基片载物台上，将真空腔抽至高真空状态，然后启动加热装置将真空腔内升至等离子体气相沉积反应所需要的环境温度，最后碳源气体由一侧流入反应腔内，开启微波或射频发生器让高功率微波或射频由上端的输入端口进入反应腔内使得碳源气体电离为等离子体，等离子体化学性质十分活跃使得反应温度大大降低，碳源气体变为等离子体后反应沉积在硅片上面生长为碳纳米管薄膜。

但是由于现有的等离子体气相沉积系统中反应气体由一侧进入反应腔内，在射频或高压直流作用下产生的等离子体无法保证在待生长的衬底表面上每一点都是均匀分布的，不仅如此，用于等离子体气相沉积的加热装置一般置于反应腔底部，无法保证生长碳纳米管的硅衬底上各点的反应温度相同，这样就会导致利用PECVD法生长的碳纳米管薄膜均匀性较差。

实用新型内容

本实用新型的提供一种生长碳纳米管的等离子体气相沉积系统，使得等离子体能够均匀的分布在待生长碳纳米管的硅衬底表面上，并且能够保证待生长碳纳米管的硅衬底表面上各点的反应温度基本相同，从而提高PECVD方法生长的碳纳米管薄膜的均匀性，提高碳纳米管阵列冷阴极的场发射性能，。

为达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种生长碳纳米管的等离子体气相沉积系统，其结构如图2、3、4及图5所示，包括高压电源正极接线柱1、高压电源负极接线柱2、金属底盘接线柱3、加热电源正极接线柱4、加热装置负极接线柱5、圆形金属底盘6、金属圆盘7、进气管道8、金属圆盘外围接线柱9、出气口10、绝热层11、加热装置12及固定装置13，所述绝热层11围成一个圆柱形腔体14，整个系统的其它部件位于腔体14中；

所述高压电源正极接线柱1、高压电源负极接线柱2关于腔体中轴线对称设置于所述圆柱形腔体底部并贯穿整个腔体14底壁；

所述进气管道8由圆柱形腔体的底部伸入并向上延伸至圆柱形腔体顶部后，其通道方向指向原圆柱形腔体中轴线并向下旋转180度，使得进气管道8的出口位于所述圆柱形腔体内的正上方且出气方向指向正下方；

所述圆形金属底盘6通过支脚固定于圆柱形腔体底部，并位于所述进气管道8的出气口的正下方；所述金属底盘接线柱3位于所述圆形金属底盘6上；所述接线柱3通过导线与所述高压电源负极接线柱2位于腔体14内部一端连接；

所述金属圆盘7中间开孔并水平放置于进气管道8的出气口处，且与所述圆形金属底盘6平行；所述金属圆盘7通过裹覆于进气管道8外部的金属外壁与设置于所述圆柱形腔体底部的金属圆盘外围接线柱9连接；所述金属圆盘外围接线柱9通过导线与所述高压电源正极接线柱1位于腔体14外侧的一端连接；

所述出气口10开设于所述圆柱形腔体的底壁上且位于所述圆形金属底盘6的正下方；