[实用新型]一种采用激光制备背钝化太阳电池的背面接触结构有效
| 申请号: | 201520202084.7 | 申请日: | 2015-04-03 |
| 公开(公告)号: | CN204516779U | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
| 发明(设计)人: | 瞿辉;徐春;曹玉甲;靳玉鹏 | 申请(专利权)人: | 江苏顺风光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 路接洲 |
| 地址: | 213169 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本实用新型涉及一种采用激光制备背钝化太阳电池的背面接触结构,背电极区域不开孔,有效避免了银电极的强复合中心作用,提高了开压和电流,提升了效率,直线形状中的实部开槽虚部不开槽,减少了开槽面积,有效减少了对背钝化层的破坏作用,提高了开压和电流,可以制备出较高开压电流的背钝化电池片;并且大幅度减少和杜绝背钝化电池容易出现的EL下黑线问题,有效增加烧结工艺的窗口,为正面烧结工艺匹配提供更大空间;相对于点图形形式的接触结构来说,有效降低了激光器的要求,不需要价格更为昂贵平顶的方波激光器,普通高斯分布的激光器即可,有效降低了成本。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 采用 激光 制备 钝化 太阳电池 背面 接触 结构 | ||
【主权项】:
一种采用激光制备背钝化太阳电池的背面接触结构,包括硅片本体,所述硅片本体正面设置有钝化层和减反射层;其特征在于:所述的硅片本体的背面依次设置有背面钝化层和氮化硅保护层;所述的氮化硅保护层的外侧通过丝网印刷设置背电极以及背面背场层;所述的背面背场层贯穿背面钝化层以及氮化硅保护层并与不穿透钝化层和氮化硅保护层的背电极形成接触结构;所述的背面背场层的排列结构为:同一条线内为虚实相间的虚线模式;相邻线条间位置错开;直线内实部长度为100‑1500μm,虚部长度范围为100‑1000μm,相邻线间的间距范围为500um‑1500μm;所述的背电极的接触区域不开孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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