[实用新型]一种采用激光制备背钝化太阳电池的背面接触结构

权利要求书

1.一种采用激光制备背钝化太阳电池的背面接触结构，包括硅片本体，所述硅片本体正面设置有钝化层和减反射层；其特征在于：所述的硅片本体的背面依次设置有背面钝化层和氮化硅保护层；所述的氮化硅保护层的外侧通过丝网印刷设置背电极以及背面背场层；所述的背面背场层贯穿背面钝化层以及氮化硅保护层并与不穿透钝化层和氮化硅保护层的背电极形成接触结构；所述的背面背场层的排列结构为：同一条线内为虚实相间的虚线模式；相邻线条间位置错开；直线内实部长度为100-1500μm，虚部长度范围为100-1000μm，相邻线间的间距范围为500um-1500μm；所述的背电极的接触区域不开孔。

2.如权利要求1所述的一种采用激光制备背钝化太阳电池的背面接触结构，其特征在于：所述的背电极个数为6-32个；背电极面积占整个硅片面积的1％-10％。

3.如权利要求1所述的一种采用激光制备背钝化太阳电池的背面接触结构，其特征在于：所述的背电极不开孔区域面积约为背电极面积的80％-200％。

4.如权利要求1所述的一种采用激光制备背钝化太阳电池的背面接触结构，其特征在于：所述的背面背场层为铝背场，所述的铝背场的激光开槽宽度为25μm-70μm。

5.如权利要求4所述的一种采用激光制备背钝化太阳电池的背面接触结构，其特征在于：所述的铝背场和背电极不重叠。

6.如权利要求1所述的一种采用激光制备背钝化太阳电池的背面接触结构，其特征在于：所述的背电极为银电极。