[实用新型]一种采用激光制备背钝化太阳电池的背面接触结构有效
| 申请号: | 201520202084.7 | 申请日: | 2015-04-03 |
| 公开(公告)号: | CN204516779U | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
| 发明(设计)人: | 瞿辉;徐春;曹玉甲;靳玉鹏 | 申请(专利权)人: | 江苏顺风光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 路接洲 |
| 地址: | 213169 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 采用 激光 制备 钝化 太阳电池 背面 接触 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制备领域,尤其是一种采用激光制备背钝化太阳电池的背面接触结构。
背景技术
目前,在太阳电池效率市场要求越来越高的形势下,背钝化电池作为高效电池的解决方案之一,越来越受到重视和普及。
背钝化电池较常规电池主要优势是可以大幅提高电池表面钝化效果,有效降低电池片背面界面态密度。另外可以有效反射电池投射光,增加吸收光程,提高短路电流。因此,背钝化电池较常规背场电池的效率高出较多,可以达到0.5-0.7个百分点。目前国内普遍采用直线图形的开槽图形,部分公司采用点图形。首先,在目前较为良好的钝化条件下,直线图形和点图形的效率比较接近,直线图形主要是由于受到开槽接触部分区域引入复合中心的影响,因此Uoc和Isc会降低,从而影响电性能。点图形情况下,Uoc和Isc会较高,但由于受到接触的影响,因此FF会有较大程度的降低,从而Eta情况也会受到波及。
其次,直线形貌的激光开槽图形由于接触部分的复合中心的作用,在EL下极易产生暗线,并且由于通常用的直线都是贯穿整个硅片的,因此较长长度的黑线在EL下会非常明显,尤其是在组件端这个问题会更为突显。虽然改善烧结条件会有效改善EL下的暗线问题,但会对正面的烧结条件造成压力,由于正反面的烧结条件的限制,会严重限制烧结炉的工艺窗口,从而影响效率或者外观。点图形则虽然没有EL暗线问题。
另外,不论是直线或者点形状的图形,在背电极区域,电池片存在开孔情况,印刷银浆后造成电池在此区域较大的复合作用,长波反射作用也被不同程度的降低,从而影响了电池的整体效率。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是:提出一种采用激光器制备背钝化背面接触结构,此种结构可以在普通背钝化电池基础上,提高效率并且在EL等可靠性方面大幅改善,增加烧结工艺窗口。
本实用新型所采用的技术方案为:一种采用激光制备背钝化太阳电池的背面接触结构,包括硅片本体,所述硅片本体正面设置有钝化层和减反射层;所述的硅片本体的背面依次设置有背面钝化层和氮化硅保护层;所述的氮化硅保护层的外侧通过丝网印刷设置背电极以及背面背场层;所述的背面背场层贯穿背面钝化层以及氮化硅保护层并与不穿透钝化层和氮化硅保护层的背电极形成接触结构;所述的背面背场层的排列结构为:同一条线内为虚实相间的dash虚线模式;相邻线条间位置错开;直线内实部长度为100-1500μm,虚部长度范围为100-1000μm,相邻线间的间距范围为500um-1500μm;所述的背电极的接触区域不开孔。铝背场和背电极不重叠。
具体的说,本实用新型所述的背电极个数为6-32个;背电极面积占整个硅片面积的1%-10%。
本实用新型所述的背电极不开孔区域面积约为背电极面积的80%-200%。背面背场层为铝背场,背电极为银电极;所述的铝背场的激光开槽宽度为25μm-70μm。
本实用新型的有益效果是:背电极区域不开孔,有效避免了银电极的强复合中心作用,提高了开压和电流,提升了效率,直线形状中的实部开槽虚部不开槽,减少了开槽面积,有效减少了对背钝化层的破坏作用,提高了开压和电流,但由于并未减少收集载流子的平均距离,因此填充能力并没有下降,可以制备出较高开压电流的背钝化电池片;并且大幅度减少和杜绝背钝化电池容易出现的EL下黑线问题,有效增加烧结工艺的窗口,为正面烧结工艺匹配提供更大空间;相对于点图形形式的接触结构来说,有效降低了激光器的要求,不需要价格更为昂贵平顶的方波激光器,普通高斯分布的激光器即可,有效降低了成本。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型背钝化接触结构的立体结构示意图;
图2是本实用新型背钝化接触结构的平面结构示意图;
图中:1、背面Si;2、钝化保护层(包括氧化硅或氧化铝层,以及其上的氮化硅层);3、背面背场层;4、背面银电极(银电极处背钝化层不开孔);5、背面钝化层被开孔部分。
具体实施方式
现在结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





