[实用新型]高可靠性全封闭CMOS影像传感器结构

摘要

本实用新型公开了一种高可靠性全封闭CMOS影像传感器结构，该结构包括影像传感芯片、开口、金属布线层、若干焊料凸点和塑封层，开口自芯片的第二表面向第一表面延伸形成，且开口的底部暴露出芯片的焊垫；金属布线层位于开口的内壁和影像传感芯片的第二表面上，且电性连接焊垫；焊料凸点位于第二表面上，且与金属布线层电性连接；塑封层包覆住影像传感芯片，且暴露出影像感应区和焊料凸点。通过形成整体塑封层对芯片进行防护，且塑封层采用隔潮、防腐或机械强度性能良好的塑封材料，本实用新型能够进一步增强CMOS影像传感器的可靠性，耐用性，提升影像传感芯片的抗干扰能力，满足CMOS影像传感器在恶劣环境下的应用需求。

主权项

一种高可靠性全封闭CMOS影像传感器结构，包括影像传感芯片(3)，所述影像传感芯片具有第一表面(301)及与其相对的第二表面(302)，所述第一表面包含影像感应区(4)和位于所述影像感应区周边的若干焊垫(5)；其特征在于：还包括开口(13)、金属布线层(7)、若干焊料凸点(9)和塑封层(8)，所述开口自第二表面向第一表面延伸形成，且所述开口的底部暴露出所述焊垫；所述金属布线层位于所述开口的内壁和所述第二表面上，且电性连接所述焊垫；所述焊料凸点位于所述第二表面上，且与所述金属布线层电性连接；所述塑封层包覆住所述影像传感芯片，且暴露出所述影像感应区和所述焊料凸点。