[实用新型]高可靠性全封闭CMOS影像传感器结构

权利要求书

1.一种高可靠性全封闭CMOS影像传感器结构，包括影像传感芯片(3)，所述影像传感芯片具有第一表面(301)及与其相对的第二表面(302)，所述第一表面包含影像感应区(4)和位于所述影像感应区周边的若干焊垫(5)；其特征在于：还包括开口(13)、金属布线层(7)、若干焊料凸点(9)和塑封层(8)，所述开口自第二表面向第一表面延伸形成，且所述开口的底部暴露出所述焊垫；所述金属布线层位于所述开口的内壁和所述第二表面上，且电性连接所述焊垫；所述焊料凸点位于所述第二表面上，且与所述金属布线层电性连接；所述塑封层包覆住所述影像传感芯片，且暴露出所述影像感应区和所述焊料凸点。

2.根据权利要求1所述的高可靠性全封闭CMOS影像传感器结构，其特征在于：所述第一表面粘合一保护盖结构(2)，所述保护盖结构包括透光盖板(202)和设于所述第一表面和所述透光盖板之间的支撑围堰层(201)，所述支撑围堰层覆盖住所述焊垫，并在影像感应区位置形成有围堰间隙(203)。

3.根据权利要求1所述的高可靠性全封闭CMOS影像传感器结构，其特征在于：以焊料凸点露出方向为上，所述第二表面上的塑封层高度低于所述焊料凸点的最高点。

4.根据权利要求1所述的高可靠性全封闭CMOS影像传感器结构，其特征在于：所述塑封层材料为聚合物材料。

5.根据权利要求1所述的高可靠性全封闭CMOS影像传感器结构，其特征在于：所述金属布线层与所述影像传感芯片之间设有绝缘层(6)，且所述绝缘层暴露每个焊垫，使所述金属布线层与所述焊垫电性连接。

6.根据权利要求1所述的高可靠性全封闭CMOS影像传感器结构，其特征在于，所述开口的结构包括凹槽、孔或前述的组合。

7.根据权利要求1所述的高可靠性全封闭CMOS影像传感器结构，其特征在于，所述塑封层还暴露出所述影像感应区的周边且未延伸至第一表面边缘的区域。