[实用新型]高可靠性全封闭CMOS影像传感器结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及CMOS影像传感器的封装领域，尤其涉及一种高可靠性全封闭CMOS影像传感器结构。

背景技术

随着近年来CMOS集成电路工艺的不断进步和完善，CMOS影像传感器芯片获得了迅速的发展和广泛应用，凭借其体积小、重量轻、功耗低、集成度高等优点，在消费电子等领域中备受欢迎。

图16示出了一种公知的CMOS影像传感器的封装结构，包括影像传感芯片3，该影像传感芯片功能面包含影像感应区4及该影像感应区周边的若干焊垫5；开口，该开口由背面向功能面延伸，且开口底部暴露出焊垫；金属布线层7，该金属布线层位于开口内壁及背面，电性连接所述焊垫；绝缘层6，该绝缘层位于金属布线层与影像传感芯片之间，并暴露出焊垫；若干焊料凸点9，该焊料凸点位于影像传感芯片的背面，与金属布线层电性连接；防焊层11，该防焊层覆盖背面及开口内壁，且暴露出焊料凸点。

然而它们的使用环境适宜，若进一步进军汽车、勘探、室 外监控等应用领域，需对CMOS影像传感器的灵敏性、可靠性、耐用性等提出更高的要求，以经受恶劣的环境的考验。

发明内容

为了使CMOS影像传感器的可靠性进一步提高，能经受恶劣环境的考验，本实用新型提出了一种高可靠性全封闭CMOS影像传感器结构，能够进一步增强CMOS影像传感器的可靠性，耐用性，提升影像传感芯片的抗干扰能力。

本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种高可靠性全封闭CMOS影像传感器结构，包括影像传感芯片，所述影像传感芯片具有第一表面及与其相对的第二表面，所述第一表面包含影像感应区和位于所述影像感应区周边的若干焊垫；还包括开口、金属布线层、若干焊料凸点和塑封层，所述开口自第二表面向第一表面延伸形成，且所述开口的底部暴露出所述焊垫；所述金属布线层位于所述开口的内壁和所述第二表面上，且电性连接所述焊垫；所述焊料凸点位于所述第二表面上，且与所述金属布线层电性连接；所述塑封层包覆住所述影像传感芯片，且暴露出所述影像感应区和所述焊料凸点。

作为本实用新型的进一步改进，所述第一表面粘合一保护盖结构，所述保护盖结构包括透光盖板和设于所述第一表面和所述透光盖板之间的支撑围堰层，所述支撑围堰层覆盖住所述焊垫，并在影像感应区位置形成有围堰间隙。

作为本实用新型的进一步改进，以焊料凸点露出方向为上，所述第二表面上的塑封层高度低于所述焊料凸点的最高点。

作为本实用新型的进一步改进，所述塑封层材料为聚合物材料。

作为本实用新型的进一步改进，所述金属布线层与所述影像传感芯片之间设有绝缘层，且所述绝缘层暴露每个焊垫，使所述金属布线层与所述焊垫电性连接。

所述开口的结构包括凹槽、孔或前述的组合。

所述塑封层还暴露出所述影像感应区的周边且未延伸至第一表面边缘的区域。

本实用新型的有益效果是：本实用新型提供一种高可靠性全封闭CMOS影像传感器结构，首先，采用晶圆级TSV技术对CMOS影像传感芯片进行预封装，然后，对多个单颗预封装芯片进行整体塑封，并暴露出单颗预封装芯片的影像感应区和焊料凸点，分别实现影像的获取和影像信号处理之后信息的传输；最后，对整体塑封后的塑封层进行切割，形成单颗高可靠性全封闭CMOS影像传感器结构。这种封装结构的塑封层是一种全包围的防护结构，且塑封层的材料具有良好的机械强度性能，或良好的隔潮、防腐、挡烟雾等性能，因此，能够进一步增强CMOS影像传感器的可靠性，耐用性等，提升影像传感芯片的抗干扰能力。

附图说明

图1为本实用新型制作方法步骤a中提供的晶圆结构示意图；

图2为本实用新型制作方法中步骤b后的晶圆结构示意图；

图3为本实用新型制作方法步骤c中形成开口后的晶圆结构示意图；

图4为本实用新型制作方法步骤c中形成绝缘层后的晶圆结构示意图；

图5为本实用新型制作方法步骤c中暴露焊垫后的晶圆结构示意图；

图6为本实用新型制作方法中步骤d后的晶圆结构示意图；

图7为本实用新型制作方法中步骤e后的晶圆结构示意图；

图8为本实用新型制作方法步骤f中整体塑封的结构示意图；

图9为本实用新型制作方法步骤g中整体塑封后形成焊料凸点的结构示意图；

图10为本实用新型制作方法步骤h后形成的高可靠性全封闭CMOS影像传感器结构示意图；

图11为本实用新型制作方法步骤c中形成凹槽开口结构的俯视图；