[实用新型]晶圆制造设备及其下电极结构和托盘结构有效
| 申请号： | 201520072644.1 | 申请日： | 2015-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN204391068U | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 陈宜杰;罗世欣 | 申请（专利权）人： | 聚昌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型为一种晶圆制造设备及其下电极结构和托盘结构，该晶圆制造设备包括下电极及托盘。托盘设置于下电极的上方侧，其中一弯曲面形成于下电极或托盘上且位于下电极与托盘相邻的一侧，而弯曲面为高度由中央向周边递减的曲面。借由本实用新型的晶圆制造设备，将可在晶圆片在进行散热过程时，使得置于托盘上的各晶圆片能获得一致的散热效率，进而解决各晶圆片之间会有散热不均匀的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 设备 及其 电极 结构 托盘 | ||
【主权项】：
一种晶圆制造设备，其特征在于包括：下电极；以及托盘，设置于该下电极的上方侧；其中一弯曲面形成于该下电极或该托盘上且位于该下电极与该托盘相邻的一侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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