[实用新型]晶圆制造设备及其下电极结构和托盘结构有效
| 申请号： | 201520072644.1 | 申请日： | 2015-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN204391068U | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 陈宜杰;罗世欣 | 申请（专利权）人： | 聚昌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 设备 及其 电极 结构 托盘 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆制造设备，其特征在于包括：
下电极；以及
托盘，设置于该下电极的上方侧；
其中一弯曲面形成于该下电极或该托盘上且位于该下电极与该托盘相邻的一侧。
2.根据权利要求1所述的晶圆制造设备，其特征在于其中该弯曲面为高度由中央向周边递减的曲面。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆制造设备，其特征在于其中该弯曲面形成于该下电极且与该托盘相邻的一侧。
4.根据权利要求1或2所述的晶圆制造设备，其特征在于其中该弯曲面形成于该托盘且与该下电极相邻的一侧。
5.一种晶圆制造设备的下电极结构，其特征在于该下电极相邻于托盘的一侧形成有弯曲面。
6.根据权利要求5所述的下电极结构，其特征在于其中该弯曲面为高度由中央向周边递减的曲面。
7.一种晶圆制造设备的托盘结构，其特征在于该托盘相邻于下电极的一侧形成有弯曲面。
8.根据权利要求7所述的托盘结构，其特征在于其中该弯曲面为高度由中央向周边递减的曲面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
