[实用新型]晶圆制造设备及其下电极结构和托盘结构有效
申请号: | 201520072644.1 | 申请日: | 2015-02-02 |
公开(公告)号: | CN204391068U | 公开(公告)日: | 2015-06-10 |
发明(设计)人: | 陈宜杰;罗世欣 | 申请(专利权)人: | 聚昌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 设备 及其 电极 结构 托盘 | ||
技术领域
本实用新型为一种晶圆制造设备,特别为一种可使托盘表面均温的晶圆制造设备。
背景技术
在半导体制造过程中,现有习知的晶圆制造设备的托盘常会遇到散热效果不佳或不均匀的问题。晶圆片在历经一段加工制造过程后,会产生吸热温升现象,此时晶圆片的高温必须获得适当的冷却降温,否则将会产生形变而影响其表面平坦度,进而影响了晶圆产出的良率。
如图1A至图1C所示,其为现有习知的一种晶圆制造设备在进行散热过程时未通气、待通气及通气状态下的剖视图。
如图1A所示,现有习知的晶圆制造设备10主要是由下电极11与托盘12所组成。下电极11的周围设有沟槽13,沟槽13内设有O型环14。托盘12设置于下电极11的上方侧,且紧靠于O型环14上方。此外,在托盘12与下电极11的两侧设有夹具15,用以在进行散热过程期间,将托盘12固定于下电极11上。
如图1B所示,当进行散热过程时,夹具15会将托盘12往下压,此时O型环14会受到挤压,使得托盘12贴靠于下电极11上方,又借由O型环14使下电极11与托盘12周边形成气密结合。
如图1C所示,在进行散热过程期间,下电极11会通入冷却气体16做为托盘12温度传导的介质,借以使置于托盘12上方的晶圆片(图未示)的高温能获得适当的冷却降温。
然而,在通入冷却气体16时,常会遇到一个问题就是,托盘12受到气体压力的作用,托盘12中央会产生凸起121的现象,导致托盘12与下电极11之间会产生大小不一的间隙17,此时托盘12的不同位置表面上的散热效率将会不同,例如托盘12的中央区域的散热效率会比其周围区域的散热效率差,进而造成晶圆片在散热过程中会有散热不均匀的现象。
因此,一种可解决散热过程中导致晶圆片会有散热不均匀的创新晶圆制造设备便有应运而生的急迫需求。
发明内容
本实用新型的目的在于,克服现有的晶圆制造设备存在的缺陷,而提供一种新型结构的晶圆制造设备及其下电极结构和托盘结构,所要解决的 技术问题是使其可以在晶圆片进行散热过程时,使得置于托盘上的各晶圆片能获得一致的散热效率,进而解决各晶圆片之间会有散热不均匀的问题。
本实用新型的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本实用新型提出的一种晶圆制造设备,其包括:下电极;以及托盘,设置于该下电极的上方侧;其中一弯曲面形成于该下电极或该托盘上且位于该下电极与该托盘相邻的一侧。
本实用新型的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施来进一步实现。
前述的晶圆制造设备,其中该弯曲面为高度由中央向周边递减的曲面。
前述的晶圆制造设备,其中该弯曲面形成于该下电极且与该托盘相邻的一侧。
前述的晶圆制造设备,其中该弯曲面形成于该托盘且与该下电极相邻的一侧。
本实用新型的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本实用新型提出的一种晶圆制造设备的下电极结构,该下电极相邻于托盘的一侧形成有弯曲面。
本实用新型的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施来进一步实现。
前述的下电极结构,其中该弯曲面为高度由中央向周边递减的曲面。
本实用新型的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。依据本实用新型提出的一种晶圆制造设备的托盘结构,该托盘相邻于下电极的一侧形成有弯曲面。
本实用新型的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施来进一步实现。
前述的托盘结构,其中该弯曲面为高度由中央向周边递减的曲面。
综上所述,本实用新型一种晶圆制造设备及其下电极结构和托盘结构,该晶圆制造设备包括:下电极及托盘。托盘设置于下电极的上方侧,其中一弯曲面形成于下电极或托盘上且位于下电极与托盘相邻的一侧,而弯曲面为一高度由中央向周边递减的曲面。
借由本实用新型的实施,可达到下列进步功效:
一、提升晶圆片的降温效率。
二、晶圆片的散热效果均匀。
为了使任何熟习相关技艺者了解本实用新型的技术内容并据以实施,且根据本说明书所揭露的内容、权利要求范围及图式,任何熟习相关技艺者可轻易地理解本实用新型相关的目的及优点,因此将在实施方式中详细叙述本实用新型的详细特征以及优点。
附图说明
图1A为现有习知的一种晶圆制造设备在通气前的剖视图。
图1B为现有习知的一种晶圆制造设备在待通气时的剖视图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于聚昌科技股份有限公司;,未经聚昌科技股份有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520072644.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:全包封半导体芯片
- 下一篇:一种单片硅片承载装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造