[实用新型]一种高频低压降功率半导体模块

摘要

本实用新型的名称为一种高频低压降功率半导体模块。属于功率半导体模块制造技术领域。它主要是解决现有的功率半导体模块关断时间长、压降大的问题。它的主要特征是：包括散热底板、外壳绝缘导热片、电极、芯片、门极引线、辅助阴极、紧固件、紧固螺钉螺母、门极块、门极片以及内填充的硅凝胶层和环氧层或硅凝橡胶层和环氧层；芯片为高频可控硅芯片或者高频整流管芯片；电极与芯片阴极面接触的部分为凸起的台面。本实用新型具有使功率半导体模块关断时间短且压降小的特点，能够满足静电除尘设备、高频逆变器、高频感应加热、斩波器等设备中对功率半导体模块的需求，主要用于有高频整流和逆变要求的电力电子装置中的功率半导体模块。

主权项

一种高频低压降功率半导体模块，包括散热底板（1）、外壳（2）、绝缘导热片（3）、第一电极（4）、第二电极（5）、第三电极（6）、第一半导体芯片（7）、第二半导体芯片（17）、门极引线（8）、辅助阴极（9）、紧固件（10）、紧固螺钉（11）、螺母（12）、门极块（13）、门极片（14）以及内填充的硅凝胶层和环氧层或硅凝橡胶层和环氧层（15），其特征在于：所述的第一半导体芯片（7）、第二半导体芯片（17）为高频可控硅芯片或者高频整流管芯片，该高频可控硅芯片为电阻率为30~70Ω·cm、芯片厚度为200~400μm的高频器件，该高频可控硅芯片或者高频整流管芯片具有在8‑15MeV高能电子辐照处理形成的辐照层；所述的第一电极（4）、第二电极（5）与第一半导体芯片（7）、第二半导体芯片（17）阴极面接触的部分为凸起的台面。