[实用新型]倒装LED芯片有效
| 申请号： | 201520009023.9 | 申请日： | 2015-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN204441323U | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 袁章洁;许顺成 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 423038 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种倒装LED芯片，包括：衬底；外延层，设置于所述衬底上；透明导电层，设置于所述外延层上；电极与焊盘，设置于所述透明导电层顶面上，还包括布拉格绝缘反射层，所述布拉格绝缘反射层设置于所述电极与所述焊盘之间。本实用新型提供的倒装LED芯片以布拉格反射层(DBR)替代常用的金属反射层，避免了使用Ag时导致的倒装LED芯片漏电率高、光衰严重的问题，采用枝条状电极结构相比传统开VIA孔结构制作P电极与N电极的倒装芯片结构，电流分布更均匀，使得本实用新型提供的倒装LED芯片结构的良率高，发光均匀性好，产品可靠性高，在中小功率芯片上尤为明显。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种倒装LED芯片，包括：衬底；外延层，设置于所述衬底上；透明导电层，设置于所述外延层上；焊盘，设置于所述透明导电层顶面上，其特征在于，还包括布拉格绝缘反射层，所述布拉格绝缘反射层设置于所述透明导电层与所述焊盘之间。
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