[实用新型]倒装LED芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED(发光二极管)芯片领域，特别地，涉及一种倒装LED芯片。

背景技术

半导体照明以节能，环保，亮度高，寿命长等优点，成为社会发展的焦点。GaN基LED芯片是半导体照明的“核心动力”，近年来性能得到大幅提升，生产成本也不断降低，为半导体照明走进千家万户做出突出贡献。

市场需求和为了满足这种需求提高产品的性价比是技术发展走势的一种强劲的驱动力。一种产品往往要综合使用多种技术，因此多种技术的平衡发展才能使一种产品的综合性能指标满足客户的需求。

目前倒装LED芯片外延层中以Ag金属层作为反射层，但Ag金属在LED芯片中很容易扩散与团聚，导致所得LED芯片漏电率和光衰高的问题。为了避免上述问题，在生长芯片时必须使用昂贵溅射镀膜机台蒸镀非常致密的保护层金属。如果保护层对Ag层覆盖的不好，芯片将变得不稳定。

实用新型内容

本实用新型提供一种倒装LED芯片，以解决现有技术中倒装LED芯片漏电率高、亮度低的技术问题。

根据本实用新型的一个方面，提供了一种倒装LED芯片，一种倒装LED芯片，包括：衬底；外延层，设置于衬底上；透明导电层，设置于外延层上；焊盘，设置于透明导电层顶面上，还包括布拉格绝缘反射层，布拉格绝缘反射层设置于透明导电层与焊盘之间。

进一步地，还包括N型GaN层、量子阱层和P型GaN层，N型GaN层、量子阱层和P型GaN层依次叠置于衬底上，透明导电层设置于P型GaN层的顶面上。

进一步地，还包括N型电极和P型电极，倒装LED芯片的一侧为N型区域，另一相对侧为P型区域，N型区域和P型区域之间为绝缘区域，N型电极设置于N型区域内的N型GaN层顶面上；P型电极设置于P型区域和绝缘区域的透明导电层顶面上。

进一步地，N型区域内量子阱层、P型GaN层和透明导电层局部经刻蚀至N型GaN层，间隔形成第一柱和第二柱；N型电极包括间隔设置的第一N型电极和第二N型电极，第一N型电极设置于第一柱和第二柱之间，P型电极包括间隔设置的第一P型电极和第二P型电极，第一P型电极设置于绝缘区域，第二P型电极设置于P型区域。

进一步地，布拉格绝缘反射层设置于第一柱、第二柱和绝缘区域的侧壁上，布拉格绝缘反射层还设置于第一P型电极的顶面和第一P型电极上靠近第二柱的侧壁上。

进一步地，布拉格绝缘反射层还设置于第二P型电极的两相对侧壁上、P型区域内透明导电层顶面和侧壁上。

进一步地，焊盘包括间隔设置的P型焊盘和N型焊盘，N型焊盘与N型电极相接触；P型焊盘与P型电极相接触。

本实用新型的另一方面还提供了一种倒装LED芯片，包括：衬底；外延层，设置于衬底上；透明导电层，设置于外延层上；焊盘，设置于透明导电层顶面上，还包括布拉格绝缘反射层、P型电极和N型电极，布拉格绝缘反射层设置于透明导电层与焊盘之间；N型电极还包括条状N型电极，条状N型电极在倒装LED芯片内横向延伸形成；P型电极还包括条状P型电极，条状P型电极在倒装LED芯片内横向延伸形成。

进一步地，条状N型电极上设有柱状在外延层内纵向延伸形成的柱状N型电极；条状P型电极上设有柱状在外延层内纵向延伸形成的柱状P型电极。

进一步地，条状N型电极和条状P型电极的宽度为0.5～20um。

本实用新型具有以下有益效果：

1.本实用新型提供的倒装LED芯片外延层中以布拉格反射层(DBR)替代常用的金属反射层，避免了使用Ag时导致的倒装LED芯片漏电率高、光衰严重的问题；采用枝条状电极结构相比传统开VIA孔结构制作P电极与N电极的倒装芯片结构，电流分布更均匀，使得本实用新型提供的倒装LED芯片结构的良率高，发光均匀性好，产品可靠性高，在中小功率芯片上尤为明显。

2.同时DBR层为绝缘材料制成，将其设置于两层金属材质的层之间，发挥绝缘介质层的作用，生产过程中无需制备Ag保护层，简化芯片制程工艺，缩短流片时间，不需购买昂贵的金属溅射机台，大幅度降低成本。

3.本实用新型提供的倒装LED芯片中的各电极为枝条状设置于倒装LED芯片的顶面上，使得电流在LED芯片中的运动面积更大，提高电流在芯片中的分别均匀性和扩散面积，提高发光亮度。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本实用新型还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本实用新型作进一步详细的说明。

附图说明