[实用新型]倒装LED芯片

权利要求书

1.一种倒装LED芯片，包括：

衬底；

外延层，设置于所述衬底上；

透明导电层，设置于所述外延层上；

焊盘，设置于所述透明导电层顶面上，其特征在于，还包括布拉格绝缘反射层，所述布拉格绝缘反射层设置于所述透明导电层与所述焊盘之间。

2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，还包括N型GaN层、量子阱层和P型GaN层，所述N型GaN层、所述量子阱层和所述P型GaN层依次叠置于所述衬底上，所述透明导电层设置于所述P型GaN层的顶面上。

3.根据权利要求2所述的倒装LED芯片，其特征在于，还包括N型电极和P型电极，所述倒装LED芯片的一侧为N型区域，另一相对侧为P型区域，所述N型区域和所述P型区域之间为绝缘区域，

所述N型电极设置于所述N型区域内的所述N型GaN层顶面上；

所述P型电极设置于所述P型区域和所述绝缘区域的所述透明导电层顶面上。

4.根据权利要求3所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述N型区域内所述量子阱层、所述P型GaN层和所述透明导电层局部经刻蚀至所述N型GaN层，间隔形成第一柱和第二柱；

所述N型电极包括间隔设置的第一N型电极和第二N型电极，所述第一N型电极设置于所述第一柱和第二柱之间，

所述P型电极包括间隔设置的第一P型电极和第二P型电极，

所述第一P型电极设置于所述绝缘区域，

所述第二P型电极设置于所述P型区域。

5.根据权利要求3所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述布拉格绝缘反射层设置于所述第一柱、所述第二柱和所述绝缘区域的侧壁上，所述布拉格绝缘反射层还设置于所述第一P型电极的顶面和所述第一P型电极上靠近所述第二柱的侧壁上。

6.根据权利要求5所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述布拉格绝缘反射层还设置于所述第二P型电极的两相对侧壁上、所述P型区域内所述透明导电层顶面和侧壁上。

7.根据权利要求4所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述焊盘包括间隔设置的P型焊盘和N型焊盘，所述N型焊盘与所述N型电极相接触；所述P型焊盘与所述P型电极相接触。

8.一种倒装LED芯片，包括：

衬底；

外延层，设置于所述衬底上；

透明导电层，设置于所述外延层上；

焊盘，设置于所述透明导电层顶面上，其特征在于，还包括布拉格绝缘反射层、P型电极和N型电极，所述布拉格绝缘反射层设置于所述透明导电层与所述焊盘之间；

所述N型电极还包括条状N型电极，所述条状N型电极在所述倒装LED芯片内横向延伸形成；

所述P型电极还包括条状P型电极，所述条状P型电极在所述倒装LED芯片内横向延伸形成。

9.根据权利要求8所述的倒装LED芯片，其特征在于，

所述条状N型电极上设有柱状在所述外延层内纵向延伸形成的柱状N型电极；

所述条状P型电极上设有柱状在所述外延层内纵向延伸形成的柱状P型电极。

10.根据权利要求9所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述条状N型电极和所述条状P型电极的宽度为0.5～20um。