[发明专利]一种自恢复肖特基元件在审
| 申请号： | 201511020049.4 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105552055A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 丘振良 | 申请（专利权）人： | 丘振良 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 谈杰 |
| 地址： | 364200 福建省龙岩*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是一种自恢复肖特基元件。它包括半导体晶片、电极引脚和高分子聚化合物层，高分子聚化合物层覆盖于半导体晶片的上表面上或包覆于半导体晶片，电极引脚由高分子聚化合物层内引出，高分子聚化合物层由聚合树脂和掺杂于聚合树脂内的导电粒子构成。本发明通过聚合树脂会将分布在其里面的导电粒子紧密的束缚在其结晶状的结构外，构成链状导电通路，在正常工作时，整个肖特基元件处于低阻态；当线路发生短路或过载时，流经肖特基元件上的大电流所产生的热量会使聚合树脂融化，体积迅速膨胀增大，从而形成高阻态，会使肖特基元件上流经的电流迅速减少，从而实现对整个线路的电流的限制，即形成过流保护的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 肖特基 元件 | ||
【主权项】：
一种自恢复肖特基元件，它包括半导体晶片和电极引脚，其特征在于：它还包括高分子聚化合物层，所述高分子聚化合物层覆盖于半导体晶片的上表面上或包覆于半导体晶片，所述电极引脚由高分子聚化合物层内引出，所述高分子聚化合物层由聚合树脂和掺杂于聚合树脂内的导电粒子构成。
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