[发明专利]一种自恢复肖特基元件在审
| 申请号： | 201511020049.4 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105552055A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 丘振良 | 申请（专利权）人： | 丘振良 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 谈杰 |
| 地址： | 364200 福建省龙岩*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 肖特基 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种自恢复肖特基元件，它包括半导体晶片和电极引脚，其特征 在于：它还包括高分子聚化合物层，所述高分子聚化合物层覆盖于半导体晶 片的上表面上或包覆于半导体晶片，所述电极引脚由高分子聚化合物层内引 出，所述高分子聚化合物层由聚合树脂和掺杂于聚合树脂内的导电粒子构成。
2.如权利要求1所述的一种自恢复肖特基元件，其特征在于：它还 包括一金属散热层，所述金属散热层直接贴装于半导体晶片的下表面上并相 对于高分子聚化合物层呈裸露状态。
3.如权利要求2所述的一种自恢复肖特基元件，其特征在于：所述 导电粒子为金、银、铜、铝、锌、铁、镍、石墨中的一种粉末或颗粒。
4.如权利要求2所述的一种自恢复肖特基元件，其特征在于：所述 导电粒子的材质为导电化合物。
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