[发明专利]静电放电保护结构及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201510995357.2 申请日: 2015-12-25
公开(公告)号: CN106920788B 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 李勇 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L23/60 分类号: H01L23/60
代理公司: 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 徐文欣;吴敏<国际申请>=<国际公布>=
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种静电放电保护结构及其形成方法,静电放电保护结构包括:具有第一区域、第二区域和第三区域的衬底,第一区域两侧分别与第二区域和第三区域相邻;位于衬底第一区域表面的若干平行排列的第一鳍部,第一鳍部具有延伸至第二区域的第一端以及延伸至第三区域的第二端;位于衬底第二区域表面的第二鳍部,第二鳍部与若干第一鳍部的第一端连接;位于衬底第三区域表面的第三鳍部,第三鳍部与若干第一鳍部的第二端连接;横跨若干第一鳍部的第一栅极结构,第一栅极结构位于部分第一鳍部的侧壁和顶部表面;位于第二鳍部和部分第一鳍部内的源区;位于第三鳍部内的漏区。静电放电保护结构的性能改善。
搜索关键词: 静电 放电 保护 结构 及其 形成 方法
【主权项】:
1.一种静电放电保护结构,其特征在于,包括:/n衬底,所述衬底具有第一区域、第二区域和第三区域,所述第一区域两侧分别与第二区域和第三区域相邻;/n位于衬底第一区域表面的若干平行排列的第一鳍部,所述第一鳍部具有延伸至第二区域的第一端以及延伸至第三区域的第二端;/n位于衬底第二区域表面的第二鳍部,所述第二鳍部与若干第一鳍部的第一端连接;/n位于衬底第三区域表面的第三鳍部,所述第三鳍部与若干第一鳍部的第二端连接;/n位于所述衬底表面的隔离层,所述隔离层覆盖所述第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部的部分侧壁,且所述隔离层表面低于所述第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部的顶部表面;/n横跨若干第一鳍部的第一栅极结构,所述第一栅极结构位于部分第一鳍部的侧壁和顶部表面;/n位于第二区域内的若干第二栅极结构,所述第二栅极结构至少位于第二鳍部顶部表面,若干第二栅极结构平行排列,且所述第二栅极结构平行于第一栅极结构;/n位于第二鳍部和部分第一鳍部内的源区,所述源区包括:位于相邻第二栅极结构之间、以及第一栅极结构与第二栅极结构之间的源区外延层,所述源区外延层位于所述第一鳍部和第二鳍部的顶部;/n位于第三鳍部内的漏区。/n
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