[发明专利]静电放电保护结构及其形成方法

权利要求书

1.一种静电放电保护结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域两侧分别与第二区域和第三区域相邻；

位于衬底第一区域表面的若干平行排列的第一鳍部，所述第一鳍部具有延伸至第二区域的第一端以及延伸至第三区域的第二端；

位于衬底第二区域表面的第二鳍部，所述第二鳍部与若干第一鳍部的第一端连接；

位于衬底第三区域表面的第三鳍部，所述第三鳍部与若干第一鳍部的第二端连接；

位于所述衬底表面的隔离层，所述隔离层覆盖所述第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部的部分侧壁，且所述隔离层表面低于所述第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部的顶部表面；

横跨若干第一鳍部的第一栅极结构，所述第一栅极结构位于部分第一鳍部的侧壁和顶部表面；

位于第二区域内的若干第二栅极结构，所述第二栅极结构至少位于第二鳍部顶部表面，若干第二栅极结构平行排列，且所述第二栅极结构平行于第一栅极结构；

位于第二鳍部和部分第一鳍部内的源区，所述源区包括：位于相邻第二栅极结构之间、以及第一栅极结构与第二栅极结构之间的源区外延层，所述源区外延层位于所述第一鳍部和第二鳍部的顶部；

位于第三鳍部内的漏区。

2.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述衬底、第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部内具有阱区，所述阱区内具有N型离子。

3.如权利要求2所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述源区和漏区内具有P型离子。

4.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述源区外延层的材料为硅或硅锗；所述源区外延层内掺杂有P型离子。

5.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第二栅极结构包括第二栅极；所述第二栅极与静电电压端连接。

6.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，位于第三区域内的若干第三栅极结构，所述第三栅极结构至少位于第三鳍部顶部表面，若干第三栅极结构平行排列，且所述第三栅极结构平行于第一栅极结构。

7.如权利要求6所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述漏区包括：位于相邻第三栅极结构之间的漏区外延层，所述漏区外延层位于所述第三鳍部的顶部。

8.如权利要求7所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述漏区外延层的材料为硅或硅锗；所述源区外延层内掺杂有P型离子。

9.如权利要求6所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第三栅极结构包括第三栅极；所述第三栅极与静电电压端连接。

10.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，还包括：位于第一栅极结构两侧的第一鳍部内的轻掺杂区；其中，一侧的轻掺杂区位于第一栅极结构与第三栅极结构之间。

11.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第一栅极结构包括第一栅极。

12.如权利要求11所述的静电放电保护结构，其特征在于，还包括：位于所述第一栅极顶部的第一导电结构；所述第一导电结构接地。

13.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，还包括：位于源区顶部的第二导电结构；所述第二导电结构接地。

14.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，还包括：位于漏区顶部的第三导电结构；所述第三导电结构与静电电压端连接。