[发明专利]改良西门子法还原炉提高多晶硅一次沉积率的方法

摘要

本一种改良西门子法还原炉提高多晶硅一次沉积率的方法，是当还原炉运行压力控制在表压0.2-0.6MPa的范围内变化时，降低还原炉系统运行压力，多晶硅一次沉积率将按下式提高：η=₀p₀/（p₀-_△p），式中：η_0：原始一次沉积率，η：降低运行压力后的一次沉积率，P_0：原始运行压力，P₀=0MPa、0.1MPa、0.2MPa、0.3MPa、...；_△p：压力降低值，_△p=0MPa、0.1MPa、0.2MPa、0.3MPa、...。在现有改良西门子法还原炉基础上不增加其他资金、设备的投入，仅从降低还原炉的运行压力着手，利用现有技术设备，改变运行操作参数，即可明显提高多晶硅一次沉积率，达到大幅节能降耗的目的。

主权项

一种改良西门子法还原炉提高多晶硅一次沉积率的方法，其特征在于当还原炉运行压力控制在表压0.2‑0.6 MPa的范围内变化，降低还原炉系统运行压力，多晶硅一次沉积率将按下式提高：η = η₀ p₀/（p₀ ‑ _△p）式中：η₀： 原始一次沉积率η ：降低运行压力后的一次沉积率P₀：原始运行压力, P₀= 0MPa 、0.1MPa 、0.2 MPa 、0.3 MPa 、..._△p：压力降低值，_△p =0MPa 、0.1MPa 、0.2 MPa 、0.3 MPa 、...。