[发明专利]改良西门子法还原炉提高多晶硅一次沉积率的方法在审
| 申请号: | 201510969159.9 | 申请日: | 2015-12-22 |
| 公开(公告)号: | CN105574343A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
| 发明(设计)人: | 沈祖祥;王姗;冉耘瑞;陈建 | 申请(专利权)人: | 成都蜀菱科技发展有限公司 |
| 主分类号: | G06F19/00 | 分类号: | G06F19/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 610016 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 改良 西门子 还原 提高 多晶 一次 沉积 方法 | ||
【权利要求书】:
1.一种改良西门子法还原炉提高多晶硅一次沉积率的方法,其特征在于当还原炉运行 压力控制在表压0.2-0.6MPa的范围内变化,降低还原炉系统运行压力,多晶硅一次沉积率 将按下式提高:
η=η0p0/(p0-△p)
式中:
η0:原始一次沉积率
η:降低运行压力后的一次沉积率
P0:原始运行压力,P0=0MPa、0.1MPa、0.2MPa、0.3MPa、...
△p:压力降低值,△p=0MPa、0.1MPa、0.2MPa、0.3MPa、...。
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