[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510967098.2 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106898575B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;黄敬勇;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成蚀刻停止层、层间介电层和具有接触孔开口图案的掩膜层；蚀刻层间介电层，直至在所述接触孔开口图案的下部残留部分层间介电层；去除所述掩膜层；完全去除位于所述接触孔开口图案下部的残留的层间介电层，以形成贯通所述层间介电层的接触孔，同时圆化位于所述接触孔顶部附近的所述层间介电层；去除露出的蚀刻停止层。根据本发明，提供了一种具有新的蚀刻轮廓的接触孔，可以扩大形成接触塞的工艺窗口，提升产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成蚀刻停止层、层间介电层和具有接触孔开口图案的掩膜层；蚀刻所述层间介电层，直至在所述接触孔开口图案的下部残留部分层间介电层；去除所述掩膜层；完全去除位于所述接触孔开口图案下部的所述残留的层间介电层，以形成贯通所述层间介电层的接触孔，同时圆化位于所述接触孔顶部附近的所述层间介电层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510967098.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于化工中间体的罐底阀测温装置
- 下一篇：热流传感器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
