[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510967098.2 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106898575B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;黄敬勇;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成蚀刻停止层、层间介电层和具有接触孔开口图案的掩膜层；
蚀刻所述层间介电层，直至在所述接触孔开口图案的下部残留部分层间介电层；
去除所述掩膜层；
完全去除位于所述接触孔开口图案下部的所述残留的层间介电层，以形成贯通所述层间介电层的接触孔，同时圆化位于所述接触孔顶部附近的所述层间介电层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在完全去除位于所述接触孔开口图案下部的所述残留的层间介电层的步骤中，所述层间介电层的表面部分也被同时去除。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述层间介电层表面部分被去除的部分的厚度为100埃-200埃。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层包括自下而上层叠的先进图案化层和抗反射涂层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述具有接触孔开口图案的掩膜层的步骤包括：在所述掩膜层上通过旋涂、曝光、显影工艺形成具有所述接触孔开口图案的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，蚀刻所述掩膜层，在所述掩膜层中形成所述接触孔开口图案；通过灰化工艺去除所述光刻胶层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述残留的层间介电层的厚度为100埃-200埃。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过剥离工艺去除所述掩膜层。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述残留的层间介电层之后，还包括去除露出的所述蚀刻停止层的步骤。
9.一种采用权利要求1-8之一所述的方法制造的半导体器件。
10.一种电子装置，所述电子装置包括权利要求9所述的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
