[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 201510961986.3 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106898657B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 萧世楹;杨庆忠 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件，该半导体元件包含有一基底、一形成于该基底内的第一阱区、一形成于该第一阱区内的第一隔离结构、一形成于该第一阱区内的萧基势垒结构、以及多个形成于该第一阱区上的辅助结构。该基底包含有一第一导电型态，该第一阱区包含有一第二导电型态，且该第二导电型态与该第一导电型态互补。更重要的是，该等辅助结构实体接触该第一阱区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包含有：基底，包含有一第一导电型态；第一阱区，形成于该基底内，该第一阱区包含有一第二导电型态，且该第二导电型态与该第一导电型态互补(complementary)；第一隔离结构，形成于该第一阱区内；萧基势垒结构，形成于该第一阱区内；以及多个辅助结构，形成于该第一阱区上，且该多个辅助结构实体接触该第一阱区。
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